尖端光学技术推动产业发展
06-06
今年5月，阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）宣布开发出新型InGaN基红光MicroLED芯片，具有改进的外量子效率（EQE），这对于实现很重要基于单一半导体材料的全彩MicroLED显示器对该技术发挥着重要的推动作用。
在此基础上，阿卜杜拉国王科技大学最近取得了新的突破。
据外媒报道，KAUST 开发了 MicroLED（μLED）芯片，可以在整个可见光谱范围内高效发光，实现全彩 MicroLED。
目前，KAUST团队的相关论文已发表在期刊《光子学研究》（Photonics Research）上。
据介绍，氮合金是一种半导体材料，通过正确的化学混合可以发出RGB三种颜色的光，这有助于MicroLED实现全彩RGB显示。
然而，当氮化物芯片的尺寸缩小到微米级时，发光效率也变弱。
KAUST研究团队对此进行了详细解释：减小芯片尺寸的主要障碍是LED结构的侧壁在生产过程中会被损坏，缺陷的产生会导致漏电，从而影响芯片的发光。
而且，随着尺寸的缩小，这种现象会变得更加明显，因此LED芯片的尺寸被限制在μm×μm。
不过，KAUST团队在这一问题上取得了突破，开发出了尺寸为17μm×17μm的高亮度InGaN红色MicroLED芯片。
据悉，研究团队采用完全校准的原子沉积技术开发了10×10红色MicroLED阵列，并通过化学处理消除了LED芯片结构侧壁的损伤。
通过原子级观察（需要专门的工具和样品制备），研究小组确认侧壁经过化学处理后高度结晶。
据研究团队观察，芯片表面每2平方毫米的输出功率高达1.76mW，而之前产品每2平方毫米面积的输出功率仅为1mW。
相比之下，新产品的输出功率有了显着提升，这意味着外量子发光效率显着提高。
随后，研究团队将红色MicroLED芯片与InGaN蓝绿MicroLED芯片相结合，打造出广色域MicroLED器件。
KAUST认为，InGaNMicroLED凭借亮度高、响应速度快、色域广、能耗低等优势，将成为下一代MicroLED头戴式显示器、手机、电视等设备的理想解决方案。
下一步，KAUST团队将进一步提高MicroLED的效率，并将尺寸缩小至10μm以下。
值得注意的是，晶能光电也在实现全彩InGaN基MicroLED的道路上取得了突破。
据LEDinside报道，晶能光电已开发出硅衬底红色MicroLED芯片，并成功制备出红、绿、蓝硅衬底GaN基MicroLED阵列。
不过，京能也承认，目前其红色MicroLED芯片外量子效率的测试方法还需要进一步优化。
在更小尺寸的MicroLED芯片技术方面，今年3月，加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）也宣布首次展示了尺寸小于10μm的基于InGaN的红色MicroLED芯片，但它也面临着外量子发光效率低的问题。
问题。
据悉，该芯片在晶圆测量中测得的EQE仅为0.2%。
UCSB指出，MicroLED的外量子发光效率必须至少达到2-5%才能满足终端显示的要求。
UCSB 的下一步是提高材料质量并优化生产步骤，以实现外部量子效率的提高。
可见，各研究团队在推动MicroLED全彩化和商业化方面还有很长的路要走。
但好消息是，与往年相比，今年各方在MicroLED技术上取得的进展，对MicroLED产业起到了关键的推动作用。
终端产品逐渐出现，这意味着制造商和消费者距离MicroLED更近了。
。
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