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06-17
进入3纳米后，三星与台积电在先进制造工艺上的争夺更加多元化。
主要原因是两家公司在进入3纳米时的技术架构截然不同。
三星押宝环绕栅极（GAA）架构，并声称在GAA研发进度上领先于台积电；台积电继续使用之前采用的鳍式场效应晶体管（FinFET）架构，最早只会评估在2纳米引入GAA架构。
虽然三星对开发先进制造工艺持积极态度，但台积电却从未对竞争对手的开发做出回应。
业界认为，台积电明年的3纳米量产计划仍进展顺利，有信心获得客户支持。
也是在客户的选择下维持3纳米FinFET架构设计，这是非常有优势的。
台积电业务发展副总裁张晓强近日在一次技术论坛上透露，台积电认为继续采用FinFET架构开发3纳米工艺是帮助客户成功的最佳解决方案。
台积电预计其3nm性能较5nm可提升10%至15%，功耗可降低25%至30%，逻辑密度可提升1.7倍，SRAM密度可提升1.2倍，模拟密度可提高1.1倍等，目标是3纳米量产第一年，客户产品体积可达到5纳米的两倍以上，将广泛应用于智能手机和高速计算（高性能计算）平台。
三星和台积电分别采用不同架构设计的3nm工艺，今年将进行实际竞争。
除了采用GAA架构之外，三星目前还在开发3纳米甚至2纳米所需的第二代技术：多桥沟道场效应晶体管（MBCFET）。
三星声称相关技术相比7纳米可以将芯片性能提升35%。
占地面积减少45%，功耗减少50%。
但相关技术实际量产情况还需持续跟踪。
台积电决定采用FinFET架构为客户提供3nm工艺产能。
台积电也在近期的发布会上宣布，该架构将能够为客户提供最成熟的技术、最好的性能和最好的成本，并且将按照计划良好地开发和进展。
与同期的5nm和7nm相比，我们持续观察到3nm在高性能计算和智能手机应用方面有更多的客户投资。
另据了解，由于先进工艺开发成本高昂，综合各项指标后，不仅英特尔和苹果能够承担得起，欧洲领先的人工智能（AI）芯片制造商Graphcore也与该公司洽谈了长期合作计划。
3纳米。
。
Graphcore是台积电早期的3nm合作伙伴之一。
这家英国AI芯片厂商多次被外媒评价为有机会超越惠达的新创公司，并荣获2017年“最酷独角兽公司”荣誉，此前在台积电技术论坛上，双方曾还郑重介绍了未来合作的蓝图。
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