NVIDIA芯片卖疯了
06-18
美高森美于 6 月宣布推出专门针对 SiC MOSFET 技术的极低电感 SP6LI 封装，以实现大电流、高开关频率和高效率的完整产品采用新型低电感封装的五个标准模块系列将于 5 日至 7 日在 6 号展厅举行的 PCIM 欧洲电力电子展上展出。
致力于提供在功耗、安全性、可靠性和性能方面差异化的领先半导体。
技术解决方案提供商美高森美公司（纳斯达克股票代码：MSCC）推出专为高电流、低导通电阻 (RDSon) 碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模块设计的超低电感封装。
新封装专为该公司的 SP6LI 产品系列而开发，旨在提供适合 SiC MOSFET 技术的 2.9 nH 杂散电感，同时实现大电流、高开关频率和高效率。
美高森美将在德国纽伦堡展览中心举行的 PCIM 欧洲电力电子展上展示采用新封装的 SP6LI 功率模块以及现有产品系列中的其他 SiC 功率模块产品。
美高森美继续扩大其 SiC 解决方案开发力度，并成为少数向市场提供一系列 Si/SiC 功率分立器件和模块解决方案的供应商之一。
Microsemi 的 SP6LI 产品系列采用专为大电流 SiC MOSFET 功率模块设计的最低杂散电感封装之一。
它具有五个标准模块，提供从V、A到A； V和A的相臂拓扑是在Tc均为80°C时实现的。
这种新封装具有更高的功率密度和紧凑的尺寸，并且可以使用更少数量的并联模块来实现完整的系统，帮助客户进一步减小设备的尺寸。
Microsemi 的 SP6LI 电源模块可用于各种工业、汽车、医疗、航空航天和国防应用中的开关模式电源和电机控制。
示例包括电动汽车/混合动力汽车 (EV/HEV) 电力输送和动能回收系统、飞机执行器系统、发电系统、开关模式电源、光伏 (PV)/太阳能/风能转换器以及不间断电源等应用感应加热、医疗电源和火车电气化。
“我们的极低杂散电感标准 SP6LI 封装非常适合提高高开关频率、大电流和高效率应用中使用的 SiC MOSFET 器件的性能，”美高森美。
，通过提供更小尺寸的电源系统解决方案，帮助客户大幅降低设备要求。
我们的低电感封装具有出色的开关特性，使客户能够开发出更高性能、高可靠性的系统，帮助他们在竞争中脱颖而出。
市场研究公司Technavio指出，全球半导体应用的SiC市场预计到2020年将达到约5亿美元，复合年增长率（CAGR）超过18%。
此外，IHS Markit的研究表明，SiC MOSFET器件有望达到Microsemi的SP6LI功率模块采用由SiC功率MOSFET和SiC肖特基二极管组成的相臂。
拓扑，具有每个开关低至 2.1 mOhms 的极低 RDSon，并提供用于温度监控的内部热敏电阻和用于信号和电源连接的旋入式端子，以及热隔离和高导热基板（标准氮化铝、氮化硅作为选项）此外，标准铜基板可以替换为铝碳化硅 (AlSiC) 材料选项，以获得更高的功率循环能力。
其他主要特性包括： · 相臂拓扑中多 SiC MOSFET 和二极管芯片组件的优化布局； · 对称设计，每个开关最多可并联12个SiC MOSFET芯片； · 每个芯片都并联有自己的栅极串联电阻，以实现均匀电流平衡； · 在非常快的开关频率下具有高达 A 的高电流能力； · 可选的组装材料组合，以更好地满足不同的市场和应用需求。
6 月 5 日至 7 日。
PCIM 6 号展厅展位上的演示 美高森美产品专家将在 PCIM 期间在该公司的展位上展示他们的下一代 SiC 解决方案，包括基于 SiC 的新型低电感 SP6LI 电源模块。
此外，还将展示最近发布的新款电源模块。
V 代 40 mOhm SiC MOSFET 器件和 V 代 10/30/50A SiC 二极管产品，以及功率因数校正 (PFC) 参考设计。
如需了解更多信息或在展会期间安排会议，请访问该公司的网页。
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