瑞萨电子芯片工厂又遭遇“火情”
06-06
硅半导体 非常适合汽车 LED 车头灯和其他高速开关应用。
ROHM 开发了 V 击穿肖特基势垒二极管 (SBD)，可为汽车、工业和消费应用中的电源和保护电路提供“业界领先”的反向恢复时间 (trr)。
尽管存在多种类型的二极管，但高效 SBD 越来越多地用于各种应用。
特别是，具有沟槽MOS结构的SBD具有比平面型更低的VF，并且可以在整流应用中实现更高的效率。
然而，沟槽MOS结构的一个缺点是它们的trr通常比平面拓扑差，导致用于开关时更高的功率损耗。
为此，ROHM 开发了一个使用专有沟槽 MOS 结构的新系列，该结构可同时降低 VF 和 IR（处于权衡关系），同时实现同类领先的 trr。
YQ系列是ROHM首款采用沟槽MOS结构的YQ系列。
它扩展了现有的四种传统 SBD 产品阵容，并针对各种需求进行了优化。
这种专有设计实现了同类领先的 15ns trr，从而将 trr 损耗降低了约 37%。
整体开关损耗比一般沟槽MOS产品低约26%，有助于降低应用功耗。
与传统平面 SBD 相比，新结构还改善了 VF 和 IR 损耗。
当用于整流等正向偏置应用时，可以降低功率损耗，同时还可以降低热失控风险，这是 SBD 的一个主要问题。
因此，它们非常适合需要高速开关的设备，例如汽车 LED 头灯的驱动电路和 xEV 中容易发热的 DC-DC 转换器。
展望未来，罗姆将努力进一步提高从低压到高压的半导体器件的质量，同时加强其广泛的产品阵容，以进一步降低功耗并实现更大的小型化。
SBD沟槽MOS结构沟槽MOS结构采用多晶硅在外延片层中形成沟槽，以减少电场集中。
这降低了外延晶片层的电阻，从而在正向施加电压时导致较低的 VF。
同时，在反向偏压期间，电场集中最小化，从而大大降低IR。
因此，与传统产品相比，YQ系列的VF和IR分别提高了约7%和82%。
与典型的沟槽MOS结构相比，由于寄生电容（器件内的电阻成分）较大，trr比平面MOS结构差。
YQ系列采用独特的结构设计，实现了业界领先的15ns trr。
这可将开关损耗降低约 26%，有助于降低应用功耗。
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