国家邮政局:4月份,邮政业业务收入999.8亿元,同比增长11.3%
06-18
根据TrendForce半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示,目前各厂商库存持续下降,加上数据中心需求持续强劲,加上今年第一季度5G手机市场对DRAM的需求扩大,过去三个月持续下跌的DRAM价格已触底反弹。
其中DDR4 8G(1Gx8)Mbps产品增长2.88%,而DDR3 4Gb Mx8 eTT产品也增长1.04%,显示DRAM市场已经从下滑趋势放缓,甚至开始反弹。
报告显示,2017年5G智能手机和数据中心需求增加,导致业界加大DRAM采购力度。
其中,在5G智能手机方面,由于旗舰机型将搭载6G至12G DRAM,相比4G高端旗舰手机搭载3G至6G DRAM规格,容量会高出很多,导致市场开始启动。
从而增加对 DRAM 的需求。
。
除了需求增加之外,外资报告还指出,韩国内存龙头三星已开始在DRAM生产中引入1z纳米工艺。
三星希望通过工艺缩小来提高单位产量。
另外,第三代10纳米1z纳米工艺之后,由于未来收缩空间的减少,成本效益将会下降。
此外,三星逐渐引入EUV来生产DRAM,生产成本也会相应增加。
这不仅造成了较高的行业进入门槛,也增加了生产成本。
这也限制了未来扩产的比例,导致供应量将维持在一定数量的预期,使得制造商难以获得大量供应,从而导致价格预期上涨。

这对于整个DRAM产业来说也将是一个相对健康的发展。
封面图片来源:拍新网 更多信息请关注全球半导体观察者官网(www.dramx.com)或搜索微信公众号(全球半导体观察者)。
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