中国电子报 2月16日,应用材料发布第一财季财报。
本财季,应用材料营收67.07亿美元,同比、环比基本持平,达到业绩指引目标上限。
净利润20.19亿美元,同比增长17.58%,环比基本持平。

其中,本财季半导体系统业务营收为49.09亿美元,同比下降5.15%。
DRAM的收入份额大幅增加,从今年第一财季的13%增至本财季的34%。
晶圆代工和逻辑芯片营收占比从今年第一财季的77%下降至本财季的62%,闪存营收占比从一年前的10%下降至4%。
“在与客户的讨论中,我们了解到市场势头正在改善。
云计算供应商的投资正在重新加速,晶圆厂利用率正在提高,内存库存水平正在正常化。
”应用材料公司总裁兼首席执行官加里·迪克森(以下简称迪克森)在当天举行的财报电话会议上表示。
对于2019年业务增长的支点,Dixon认为HBM(高带宽存储器)和GAA(全栅)晶体管将为应用材料公司带来可观的市场增长。
就DRAM而言,高带宽内存——即堆叠高性能DRAM芯片并通过先进封装将其与逻辑芯片连接——是让数据中心能够承载AI的关键。
高带宽内存使用的芯片面积是标准 DRAM 的两倍以上,这意味着生产相同数量的芯片需要两倍以上的容量。
此外,芯片堆叠所需的封装也将为应用材料公司带来市场增长。
“2018年,高带宽内存仅占DRAM产量的5%,但预计未来几年将以50%的复合年增长率增长。
在本财年,我们预计高带宽内存封装收入将比去年翻两番,达到近 5%。
Dixon表示。
在GAA方面,应用材料公司预计基于GAA晶体管的尖端逻辑芯片将在本财年走向大批量生产。
晶体管结构从FinFET向GAA的转变扩大了利润率应用材料公司的晶圆厂每增加10万片晶圆的月产能,应用材料公司的潜在市场就增加10亿美元,尖端逻辑芯片代工和DRAM的重大进步也对测量和测量提出了更高的要求。
迪克森表示,应用材料公司开发了业界领先的CFE(冷场发射)电子束技术,可以将高灵敏度二维和三维成像的速度提高十倍。
应用材料公司预计本财年CFE系统收入将增长四倍,占电子束系统总销售额的50%,预计收入将达到65亿美元,上下浮动4亿美元。
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