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06-18
北方华创 近日，北方华创微电子成功获得苏州某知名化合物半导体公司大宗采购订单。
该订单包括ELEDESG雕刻蚀刻机、SW GDE C蚀刻机、EPEEPECVD等数十台设备。
这一需求源于苏州某化合物半导体公司扩产5G基站用氮化镓功放芯片的项目。
作为中国领先的高性能氮化镓芯片IDM公司，该项目将为我国5G通信基础设施建设提供保障。
这是北方华创微电子在宽禁带化合物半导体领域的重大突破，具有里程碑意义。
北方华创微电子的ELEDESG刻蚀机是宽禁带化合物半导体领域的关键设备。
用于正面工艺中的台面蚀刻、SiNx栅极沟槽蚀刻以及GaN和SiNx的极慢且低损伤的蚀刻。
该产品结合独特的离子源设计、高精度低输出下电极和多片式大容量托盘设计，实现精确的刻蚀速率控制和良好的工艺均匀性控制，满足不同工艺、多个关键的工艺要求。
指标。
领先行业水平，成为行业标杆产品和客户扩大生产的首选设备。
SW GDE C系列单台刻蚀机可实现SiC深孔的高速均匀刻蚀。
具有高MTBC的优点，通过独特的工艺调整可以实现平滑的刻蚀形貌控制。
目前，该设备已通过客户技术验证。
，获得市场高度认可，占据中国宽禁带化合物半导体市场榜首位置。
同时，SW GDE C系列刻蚀机也是SiC MOSFET栅极沟槽刻蚀和SiC二极管小角度台面刻蚀的完美解决方案。
除SiC材料外，该设备还可用于刻蚀SiO2和SiN材料。
其灵活性配置可满足研发/中试线/量产的要求。
EPEEPECVD 可用于宽带隙化合物半导体器件的钝化层、结构层和牺牲层等应用。
采用自主研发的高温混合技术，可实现高密度、低应力、高均匀性的薄膜沉积，帮助客户改进产品。
表现。
截至目前，该设备国内销量已突破100台。
此外，在宽禁带化合物半导体领域，北方华创微电子还可提供SiC晶体生长设备、高温氧化炉、清洗机等关键工艺设备。
5G商用时间表正在加速。
作为5G不可替代的核心技术，具有高频、高功率特性的GaN宽禁带半导体产业将迎来发展机遇。
北方华创微电子依托丰富的设备和工艺技术储备，为该领域提供一系列极具竞争力的关键工艺装备解决方案。
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