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浅谈因“卡脖子”技术导致国产光刻机研发现状

发布于：2024-06-06 编辑：匿名来源：网络

新闻链接：1.上海微电子：首台28nm国产光刻机即将交付 2.佳能推出半导体光刻机“FPA-” iW”可用应对大方形基板，分辨率1.0微米 3、光刻机工艺原理及设备 4、英唐智控获批收购一家拥有光刻机的日本公司。

9月16-17日，随着中科院院长白春礼宣布对封锁清单上“卡住”的技术进行定向科学研究的消息传来，光刻机等关键工艺设备再次进场中国民众和业内人士的看法。

2017年《科技日报》总结的我国35项“卡脖子”技术清单中，光刻机首当其冲！光刻机被誉为精密机械之冠。

一台光刻机价值超过10亿元，零部件超过10万个，连接的软管长达10公里。

一台光刻机重达数吨，需要40个集装箱运输。

除ASML外，日本佳能、尼康仍在生产光刻机，但市场仅针对芯片后端封装测试和LCD所需的光刻机。

我国的上海微电子也是如此。

这些光刻机要求较低，所以我国仍然可以生产光刻机，但性能有所不同。

我国在光刻机领域的发展一直没有停止，特别是在最关键、最难的极紫外光源方面。

中科院长春光机已开始EUV/X射线成像研究，积累了一定的理论基础。

双工件台等设备主要部件也需要逐步研究攻克。

以下是对我国科研单位在光刻机及重要部件研发方面所取得的进展和面临的实际困难进行的收集和列举： 1.上海微电子曾制造出90nm工艺光刻机的样机，但随后的停顿是因为尽管这款机器远远落后于先进的光刻机，但很多关键部件仍然依赖进口，我国无法生产，所以还不能算完全自主。

2、长春光机所“极紫外（EUV）光刻关键技术研究”项目通过验收。

该研究项目由长春光机所牵头，成员单位包括中国科学院光电技术研究所、上海光学精密机械研究所、中国科学院微电子研究所、北京理工大学、哈尔滨工业大学、华中科技大学。

研发团队经过八年的努力，利用13.5nm波长极紫外光，突破了制约超高精度非球面加工与检测、极紫外多层膜、投影物镜系统集成测试等核心单元。

我国极紫外光刻技术的发展.技术，建成EUV光刻曝光装置，并在国内首次获得EUV投影光刻32nm线宽光刻胶曝光图案。

研究仍在继续！ 3、在清华大学朱钰教授的带领下，北京华卓精工科技成功研发出光刻机的另一重要部件——双工件台，成为继ASML之后第二家掌握这项核心技术的厂商。

工件台是光学光刻机的三大核心部件之一：光源、投影物镜，工件台也是制造光刻机的关键部件。

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