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Cree 创新 MOSFET 帮助新一代电动汽车增加续驶里程

发布于：2024-06-06 编辑：匿名来源：网络

Cree 与 Delphi Technologies 合作汽车 SiC 器件 Cree 创新 MOSFET 帮助新一代电动汽车增加续驶里程，缩短充电时间，提高整体效率 Cree Cree, Inc.（纳斯达克股票代码：CREE）与 Delphi Technologies PLC（纽约证券交易所股票代码：DLPH）宣布就汽车碳化硅 (SiC) 器件展开合作。

Cree 是碳化硅 (SiC) 半导体领域的全球领导者，而 Delphi Technologies 是全球领先的碳化硅 (SiC) 半导体制造商。

双方的此次合作将通过采用碳化硅（SiC）半导体器件技术的结合，为未来的电动汽车（EV）提供更好的解决方案。

Cree基于碳化硅（SiC）的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术和Delphi Technologies的牵引驱动逆变器、DC/DC转换器和充电器技术将帮助电动汽车（EV）提高行驶里程并缩短充电时间，同时还可以减轻重量、节省空间并降低成本。

Cree 的碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 最初将用于 Delphi Technologies 为世界顶级汽车制造商之一设计的 V 电子控制逆变器。

计划量产时间为年。

德尔福科技首席执行官 Richard F. (Rick) Dauch 表示：“德尔福科技致力于为汽车制造商提供开创性的解决方案，帮助他们努力满足日益严格的全球排放法规和消费者对电动汽车的需求。

” （EV）期望。

我们与Cree的合作将为汽车制造商创造显着的效益，消除驾驶员对电动汽车（EV）续驶里程、充电时间和成本的担忧，并为整个行业带来利益。

随着汽车行业寻求加速从内燃机向电动汽车 (EV) 的转变，基于碳化硅 (SiC) 的电源解决方案的采用正在整个汽车市场迅速增长。

IHS 预测，高压电动汽车的销量轻型汽车的销量每年将达到 10,000 辆（占全球汽车销量的 27%）。

电控逆变器是最有价值的电气化组件之一。

电控逆变器的效率可以对车辆性能的许多方面产生变革性影响。

Cree 首席执行官 Gregg Lowe 表示：“Cree 的技术是向电动汽车 (EV) 重大转变的核心。

我们致力于支持汽车行业从基于硅（Si）的设计向更高效率和更高效率的过渡。

基于碳化硅 (SiC) 的解决方案的性能转型。

与德尔福科技的此次合作将有助于推动碳化硅（SiC）在汽车领域的应用。

作为碳化硅 (SiC) 领域的全球领导者，Cree 不断扩大产能以满足市场需求，并通过我们业界领先的功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 帮助实现全新、更高效的未来。

。

Cree致力于引领全球从硅（Si）到碳化硅（SiC）的转型，近期宣布扩大碳化硅（SiC）产能，实现产能增长30倍。

Cree通过旗下Wolfspeed德尔福科技的新型碳化硅 (SiC) 逆变器可在 V 电压下运行，为汽车工程师提供更大的灵活性，以优化其性能。

动力系统。

选项包括更大的行驶里程或更小的电池；超快速充电或更小、更轻、更便宜的电缆；以及更多的制动能量回收，以进一步提高性能。

Cree 的 Wolfspeed 产品组合包括广泛用于电动汽车的碳化硅 (SiC) 材料、功率器件和 RF 器件。

、快充、逆变器、电源、通讯、军工、航天等领域。

Cree的LED产品组合包括蓝光和绿光LED芯片、高亮度LED和照明级大功率LED，广泛应用于室内和室外照明。

、显示屏、交通、特种照明等领域。

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