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12英寸深硅刻蚀机销量突破100腔，北方华创助力Chiplet TSV工艺开发

发布于：2024-06-06 编辑：匿名来源：网络

北方华创今年6月，北方华创12英寸深硅刻蚀机PSE V实现累计出货空洞的销售。

随着晶体管的尺寸不断接近原子尺度，摩尔定律正在放缓。

面对工艺技术不断缩小带来的成本和复杂性增加，市场迫切需要寻找新的方法以低成本实现高芯片性能，以TSV（Through Silicon Via）为代表的先进封装技术已经北方华创2016年推出的12英寸先进封装PSE V，因其性能达到国际主流水平、具有扎实的实用性，成为国内TSV量产线的主力机。

TSV技术在国内主流12英寸Fab工厂广泛应用的经验是在芯片之间（Chip to Chip）、芯片与晶圆之间（Chip to Wafer）、晶圆之间（Wafer to Wafer）建立硅通孔。

然后通过薄膜沉积、金属填充、减薄、键合等工艺实现硅通孔的电互连。

“TSV是唯一能够实现芯片内部上下互连的技术，可以让多个芯片实现垂直和互连。

最短互连”[1]。

其中，硅通孔的制作是TSV技术的核心之一，它对硅通孔制作的刻蚀工艺在刻蚀速率、深宽比、刻蚀形貌、均匀性、选择性等方面提出了严格的要求，正因为如此，TSV技术至今仍具有较高的技术壁垒，国内仅有少数公司具备量产能力。

通过快速气体和射频切换控制系统，PSE V可以在50:1高深宽比深硅刻蚀中精确控制侧壁形貌，实现侧壁无损伤、线宽无损失；通过优异的实时控制性能大大提高了刻蚀速率，其TSV刻蚀速率达到国际主流水平。

在结构体系上，PSE V采用每腔单芯片设计，在气流场均匀性等方面具有优异的工艺性能。

12英寸深硅刻蚀机销量突破100腔，北方华创助力Chiplet TSV工艺开发

该机可同时配置6个腔室，在保证大产能方面具有优异的性能。

经过三年的迭代更新，PSE V从最初的2.5D/3D封装领域逐渐应用于功率器件、图像传感器和微机电系统等多个领域。

未来，北方华创将加快自主创新步伐，持续推动刻蚀设备迭代升级，为更多半导体技术提供更好的解决方案。

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