虚拟人生态公司壹世界文化完成500万美元A轮融资，创始合伙人CCV
06-18
随着市场对 SiC 技术效率和功率密度的要求不断提高，新推出的 V MOSFET 和 V, V SBD 可以为客户提供更多选择 汽车、工业、航天和国防领域越来越需要能够提高系统效率、稳健性和功率密度的 SiC 功率产品。
今天，Microchip Technology Inc.通过其子公司Microsemi宣布推出一系列SiC功率器件。
该系列器件具有良好的耐用性和宽禁带技术的优点。
它们将补充Microchip的各种微控制器和模拟解决方案，加入Microchip不断增长的SiC产品组合，并满足电动汽车和其他高功率应用快速增长的市场需求。
Microchip 的 V SiC MOSFET 和 V、V SiC 肖特基势垒二极管 (SBD) 将加入该公司现有的 SiC 功率模块产品组合。
该产品组合中新增的超过 35 种新分立器件产品已投入量产，并通过了严格的耐用性测试，Microchip 可提供全面的开发服务、工具和参考设计支持。
Microchip 目前提供额定电压、电流和各种封装的 SiC 芯片、分立器件和电源模块。
Microchip分立器件和电源产品管理部高级副总裁Rich Simoncic表示：“SiC技术的演进和应用已经开始加速。
Microchip多年来深耕这一市场，一直致力于满足不断增长的需求我们以可靠的产品构建我们的产品组合，并提供强大的基础设施和供应链支持，以满足客户执行和调整“Microchip 的 SiC MOSFET 和 SBD”产品开发计划的需求。
高频效率更高。
准确地完成开关操作并通过各级耐久性测试，这对于确保产品的长期可靠性至关重要。
Microchip SiC SBD 的性能在感应开关 (UIS) 耐久性测试中优于其他 SiC 二极管，该测试测量雪崩条件下的器件退化和过早故障，其中电压尖峰超过器件击穿电压约 20%。
此外，Microchip的SiC MOSFET在性能方面也优于同类产品。
具有良好的栅极氧化层保护和沟道完整性。
即使经过10万次重复UIS（RUIS）测试，其参数仍能保持在正常水平。
等级。
Microchip 是全球仅有的同时提供硅和 SiC 分立器件/模块解决方案的供应商之一。
该公司的产品包括外部充电站、车载充电器、DC-DC转换器和动力总成/牵引力控制解决方案，能够很好地满足电动汽车系统不断增长的需求。
新的SiC器件将采用Microchip以客户为导向的产品淘汰机制，Microchip将根据客户需求决定是否继续生产此类产品。
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