“机物联”完成数千万元Pre-A轮融资
06-18
北方华创超大规模先进集成电路制造技术不断发展,行业对相关薄膜生长的要求设备在均匀性、阶梯覆盖率和热预算方面日益增加。
原子层沉积技术以其优异的形状保持性、高台阶覆盖率和膜厚均匀性而获得业界广泛认可。
但其沉积效??率低的问题也亟待解决。
立式炉的批量加工特性很好地弥补了这一缺点,奠定了立式炉原子层沉积设备在超大规模先进集成电路制造中不可或缺的地位。
此外,立式炉原子层沉积设备还可以配备射频等离子体系统,以降低薄膜沉积的工艺温度,满足先进工艺对低热预算器件的需求。
因此,立式炉原子层沉积设备近年来受到业界的广泛关注。
广泛应用于存储、逻辑代工等超大规模先进集成电路制造领域。

预计未来三年国内市场规模约为10亿美元[1]。
[1] Gartner WFE_Forecast()北方华创紧跟产业发展步伐,依托自身深厚的立式炉设备技术积累,研发推出三台12英寸立式炉原子层沉积设备,已进入客户验证,并取得较大成果-规模化批量生产。
生产。
等离子体增强氮化硅(PEALD Si3N4)原子层沉积立式炉(产品型号:DEMAX SNP)在射频等离子体产生及系统控制、原位清洗、腔室流场设计、炉温控制及电气等方面取得了突破性进展。
软件交互、快速响应控制等关键技术。
该设备广泛应用于超大规模先进集成电路存储和逻辑工艺器件阻挡层(ALD Si3N4/HRP)、侧壁绝缘层和掺杂薄膜沉积(SiCN、SiBN)工艺,并赢得了众多逻辑领域的领先地位。
和存储领域。
客户订单、装机量和重复订单均快速增长。
作为国内首批量产的等离子体增强氮化硅原子层沉积立式炉之一,为超大规模先进集成电路制造提供了可靠的装备保障。
低介电常数(Low-K)原子层沉积立式炉(产品型号:DEMAX CONX)突破了液源供应控制、排气快速切换控制、原位清洗和多元素过程控制等新技术,降低了成本。
硅源膜的介电常数。
该设备主要应用于12英寸超大规模集成电路的栅极侧壁薄膜沉积工艺,获得低介电常数,提高薄膜的耐腐蚀性能。
工艺指标优于同类产品,满足大规模集成电路对高性能绝缘层的需求。
根据需求,该设备目前已进入客户工艺验证阶段。
间隙填充氧化硅原子层沉积立式炉(产品型号:DEMAX SNT)突破了设备高深宽比薄膜填充和高质量自由基氧化薄膜沉积技术,优化了腔室流场和进气管道设计,显着提高了晶圆间成膜的均匀性,获得了良好的薄膜绝缘性能和器件高深宽比填充效果。
该设备主要应用于存储领域的氧化硅绝缘层和介质填充层,尤其广泛应用于3D-NAND(闪存)的先进技术节点——绝缘介质间隙的氧化硅填充工艺。
在存储器阵列中,氧化硅薄膜对相关前后薄膜层的功能起着关键作用。
是该领域工艺流程中立式炉的骨干设备,市场前景广阔。
目前,该设备位于客户端。
经过多年的技术创新和产业化验证,北方华创已实现立式氧化/退火炉、立式LPCVD、立式ALD系列设备的全面布局,预计今年下半年推出其他立式炉原子层沉积设备。
DEMAX系列产品。
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