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06-18
根据集邦咨询最新报告《第三代半导体功率应用市场》，将受益于新能源汽车、光伏储能、智能电网、太阳能发电等下游产业工业自动化。
功率半导体市场随着应用市场需求的多点爆发，迎来了这一景气周期。
第三代半导体SiC/GaN将突破Si的性能限制，为功率半导体开辟新的市场。
它还将在一些与硅交互的领域实现更高的性能和更低的系统成本。
将是功率半导体行业未来发展的重点。
方向。
TrendForce分析，2020年第三代半导体SiC/GaN功率市场规模将达到47.1亿美元，而2018年为7.3亿美元，年复合增长率为45%。
SiC功率产业链结构分析 N型SiC衬底：作为产业链中最关键的环节，Wolfspeed/SiCrystal（Rohm）/II-VI等国际主要厂商占据大部分市场份额。
其中，Wolfspeed位于美国北卡罗来纳州。
8英寸SiC衬底生产线预计今年上半年开始扩产。
天科合达/山东天悦/硕科晶体/通光晶体等中国厂商已开始崭露头角，但主流尺寸仍停留在4英寸，6英寸刚刚进入量产，与国际巨头存在较大差距。
外延：衬底或器件厂正在将外延能力向产业链上下游延伸。
纯外延片供应商较少，主要集中在昭和电工/台湾嘉晶/瀚田天成/东莞天宇。
器件：自从 SiC 二极管首次商业化以来，SiC 功率市场一直受到电源应用的推动。
直到2017年首次应用于特斯拉主驱逆变器，才逐渐成为汽车杀手级应用。
SiC功率器件的可靠性和成本已达到电动汽车、光伏、轨道交通等应用要求，市场进入快速增长期。
根据TrendForce的分析，全球SiC功率市场将从2018年的6.8亿美元增长至2018年的33.9亿美元，年复合增长率为38%。
晶圆代工：市场仍处于起步阶段。
目前，具备大规模代工能力的代工厂主要集中在德国X-Fab和台湾汉磊。
GaN功率产业链结构分析 GaN-on-Si已成为GaN功率器件的主流结构。
外延：全球主流GaN外延片供应商仍集中在欧洲国家和日本，中国企业尚未进入供给侧第一梯队。
除了纯外延厂外，一些晶圆代工厂延伸产业链，也具备外延能力。
器件：面向消费市场的VGaN产品已具备批量供货能力，但更高电压器件仍较少。
根据TrendForce的分析，今年GaN功率市场上，Navitas/PI/Innosec将占据前三名的位置。
与此同时，全球GaN功率市场规模预计将从2018年的1万美元增长至2018年的13.2亿美元，复合年增长率为94%。
晶圆代工厂：台积电、世先进等传统硅晶圆代工厂，以及X-Fab等特殊工艺代工厂，正在向这一市场靠拢。
第三代半导体电源应用场景分析 新能源汽车：汽车市场对延长电池寿命、增加电池容量、缩短充电时间有巨大需求。
电池系统向V化发展，使得可以使用耐高压的SiC，未来SiC在主驱动逆变器/OBC/DC-DC等部件中大放异彩。
另一方面，虽然GaN受到可靠性等问题的限制，但宝马等车企已经开始尝试，可见入门之路并不遥远。
消费电子：数码产品的能耗和电池容量限制推动了GaN在消费快充市场的大规模应用。
据集邦咨询分析，随着氮化镓功率晶体管价格不断下降以及技术方案日趋成熟，预计2020年氮化镓在整体快充领域的市场渗透率将达到52%。
光伏储能：“光伏+ “储能”已成为许多国家光伏发展的标准配置，逆变器新增和更换市场正处于快速增长阶段。
第三代半导体提供了实现光伏逆变器“高转换效率”和“低能耗”所需的优异性能，这对于提高光伏逆变器的功率密度、进一步降低电力成本至关重要。
TrendForce重点分析第三代半导体SiC/GaN功率产业链结构、应用场景、供需关系及主要厂商。
相信可以为读者提供第三代半导体电源市场运营和销售的全面布局。
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