被投资公司-焱融科技完成1.2亿元A+轮融资
06-17
第一财经报第三代半导体材料GaN（氮化镓）在2018年首次进入主流消费应用，并引起巨大关注年初小米发布会后引起的关注焦点。
在各大手机厂商的激烈竞争下，GaN也将迎来快速发展。
据显示，今年以来GaN指数增长了44.7%。
小米氮化镓充电器直接引爆A股第三代半导体概念股。
小米集团董事长兼首席执行官雷军表示，氮化镓是一种新型半导体材料，可以制造体积极小但充电效率极高的充电器。
早在2018年，OPPO就发布了SuperVOOC 2.0，最大充电功率为65W。
配备SuperVOOC 2.0的适配器使用了GaN。
这是 GaN 首次进入主流消费应用。
有媒体称，华为、苹果、三星等厂商也计划推出GaN充电器。
市场研究机构Yole Development提出了一个乐观的设想，即如果苹果等手机制造商采用GaN，无数其他公司将效仿并将GaN应用在消费电子领域。
那么，到2020年，GaN电源市场规模将达到4.23亿美元，年复合增长率平均高达93%，增长空间巨大。
而这只是GaN的应用领域之一。
康佳集团近期也在招聘GaN工程师。
康佳副总裁李洪涛解释称，蓝光和绿光Micro LED芯片也采用GaN，招聘GaN工程师是为了加快进度。
除了Micro LED芯片之外，未来还会有其他应用。
GaN是第三代半导体材料之一。
第一代半导体材料主要是硅和锗，它们是CPU处理器等集成电路使用的主要材料；第二代半导体是指一些化合物半导体，包括砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等，主要特点是频率比较高。
目前手机中使用的关键通讯芯片均采用此类材料制成。
第三代半导体材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）等为代表的宽带隙半导体材料。
与第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度和更高的抗辐射能力，更适合制作高温、高频、抗辐射和大功率器件。
其中SiC和GaN的研发较为成熟。
GaN下游应用丰富，主要包括无线通信、雷达预警、卫星通信等微波射频领域，消费电子、智能电网、新能源汽车等电力电子领域，以及LED、光电探测器等光电领域。
苏州能讯高能半导体有限公司董事、总经理任勉在今年2月底的氮化镓主题报告中指出，氮化镓的应用从LED发光器件开始，逐步发展到大型射频微波装置，并进入电网。
在电子领域，“GaN作为LED发光器件是一项不可替代的技术，因为GaN在一定波长范围内发出蓝光，蓝光一出来就可以快速使用。
”随着无线通信的发展，射频和微波领域非常重要，对PA（功率放大器）的要求进一步提高。
3G、4G以及现在的5G进一步推动了GaN基站的应用。
Yole Development的数据显示，2020-2020年GaN射频器件市场整体复合年增长率将达到23%。
2018年市场规模仅为3.8亿美元。
预计到2020年市场规模将达到13亿美元，其中包括通信和国防。
是主要驱动力。
随着5G网络的快速部署，射频GaN市场将快速发展。
与4G相比，5G具有更高的频段，需要更多的收发器和天线单元，并使用波束成形信号处理向用户传递射频能量。
国盛证券指出，虽然目前LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）、GaAs和GaN的份额相差不大，但GaN将占据射频器件市场的半壁江山。
原本广泛使用的LDMOS在工作频率上存在局限性，理论有效频率在3GHz以下；而GaAs期间功率较低，通常小于50W，因此在当前的5G时代，支持高频且具有更高功率值的GaN将在基站处取代原有材料。
不过，即使GaN越来越普及，大规模普及仍需要时间，而成本是阻碍市场发展的主要因素。
赛迪顾问工业大脑平台集成电路行业首席分析师李丹告诉第一财经记者，“从全球范围来看，GaN整个产业链已经成熟，已经商业化并应用于消费电子领域，但仍存在一定差距。
”而且，国内产业链还不够成熟，有些环节国内无法完成。
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