中国大陆晶圆产能近年来增长迅速,但在产能利用率方面仍落后于台湾、韩国和日本单位时间的产出。
7月13日,知名半导体咨询机构ICInsights发布年度全球晶圆月度产能报告(按地理区域)。
下图为截至今年12月全球各地区晶圆产能情况。
ICInsights 按地点而非公司总部划分产能。
例如,韩国三星在美国投产的晶圆产能计入北美总产能,但不计入韩国总产能。
“ROW地区”主要包括新加坡、以色列和马来西亚,还包括俄罗斯、白俄罗斯、澳大利亚等国家和地区。
)this.style.width=;" border="0" /> 从上图可知,截至今年12月,中国台湾地区晶圆产能占全球晶圆产能的21.4%,位居全球第二。
韩国,占全球晶圆产能的20.4%,台湾地区8英寸晶圆产能领先,其次是三星和SK海力士,持续积极扩建韩国工厂以支持其高产量。
DRAM和NAND闪存业务在2016年超过韩国成为最大晶圆产能持有者,预计到年底该地区将新增近万片晶圆产能。
今年,中国大陆晶圆产能占全球产能的15.3%,预计将超过日本,首次超过ROW地区产能。

,并首次超过北美产能。
ICInsights预测,中国大陆将是2018年至2020年间唯一产能占比增加的地区(增加约3.7%)。
个百分点),尽管以中国大陆为主的大型新建 DRAM 和 NAND 晶圆厂的初创企业预计将走弱,但未来几年还将有大量来自其他国家内存制造商和本土半导体制造商的晶圆。
产能正在进入中国。
由于该地区大型无晶圆厂供应商行业继续依赖代工厂(主要是台湾的代工厂),北美的产能份额预计在预测期内将下降,而欧洲的产能份额预计也将继续缓慢萎缩。
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