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06-18
台积电3nm工艺计划每平方毫米集成2.5亿个晶体管，每年量产。
在4月17日的台积电财报会议上，台积电首次公布了其3nm工艺的细节。
预计下半年开始量产。
台积电表示，3nm工艺不会受到疫情影响，研发进度符合预期。
预计年内进入风险试产阶段，下半年实现量产。
在评估各种方案后，台积电认为FinFET工艺比GAA更具成本效益和能效，因此第一代3nm工艺将继续使用FinFET晶体管技术。
3nm节点的晶体管密度将达到每平方毫米2.5亿个。
目前7nm EUV工艺的麒麟5G芯片尺寸为0.31平方毫米，晶体管密度为1亿个。
其每平方毫米的晶体管密度为9000万个，这也意味着3nm工艺技术的晶体管密度将是7nm的3.6倍。
在4月16日第一季度财务分析师电话会议上，台积电副董事长兼首席执行官魏哲家透露，3nm是他们芯片技术继5nm之后的一次彻底的技术飞跃。
与第一代5纳米工艺（N5）相比第一代3纳米工艺（N3），晶体管密度将提高约70％，速度将提高10％至15％，芯片性能提升将增加25%至30%。
3nm工艺将进一步巩固他们在芯片技术方面的未来。
领导地位。
据了解，台积电多年来一直在研发3nm工艺，并在多年前就开始准备量产。
台积电创始人张忠谋今年10月在接受采访时谈到了3nm工厂，此时距他退休还有8个月。
当时他透露，采用3nm工艺的芯片制造工厂计划于2019年竣工，保守估计可能会在2020年竣工，耗资1亿美元，最终可能会达到1亿美元。
去年10月，外媒报道称，台积电已开始建设工厂，生产3纳米芯片。
该工厂占地50至80公顷，预计耗资1亿美元。
台积电3nm节点最大竞争对手三星也押注3nm节点。
它的进步和技术选择非常激进。
三星将取消FinFET晶体管，直接使用GAA环绕栅晶体管。
根据三星的信息，相比7nm FinFET工艺，3nm工艺可降低50%的能耗，提升30%的性能。
三星计划在2020年量产，但受疫情影响推迟至2019年，但具体时间尚未明确。
据早前报道，受疫情影响，台积电将削减全年资本支出。
不过，台积电在财报发布会上表示，年度资本支出计划维持不变，支出预计在100至1亿美元之间。
台积电总裁魏哲家表示，未来几年5G和高性能计算（HPC）将对先进工艺有强劲需求。
疫情只会影响短期业务，中长期产能布局不需要改变资本支出计划。
台积电持续推进先进制程产能扩张。
魏哲家表示，台积电7nm需求依然非常旺盛，订单充足。
7nm优化的6nm工艺将如期年底量产。
与7nm增强版相比，6nm将增加一层EUV（极紫外光）。
雕刻）光掩模层。
对于5nm的生产进度，魏哲家表示，5nm已经准备好进入量产。
5nm工艺增加了更多EUV掩模层，下半年开始量产，为客户生产智能手机、HPC等芯片。
今年的收入份额预测保持在10%不变。
台积电否认推迟建设3纳米工厂，称采购和招标工作仍在进行中。
4月15日，COVID-19疫情的市场蔓延，间接影响了晶圆代工厂大厂台积电在3纳米工艺的布局。
不过，台积电表示，Fab 18工厂正在按照采购招标流程进行，没有任何延误。
3nm工艺尚未具体公布。
COVID-19疫情持续影响市场，从中国大陆蔓延至欧美，市场预测机构纷纷对全球经济的未来发出警告。
市场甚至传出台积电位于台南科学园区的Fab 18 3纳米制程工厂的建设已被推迟。
据了解，台积电Fab 18工厂目前共规划一至六期厂房建设。
一期、二期厂房已竣工，2019年机器设备已安装完毕并取得认证，今年上半年将开始量产。
第三期、第四期正在建设中。
不过，有市场消息称，五期、六期建设可能会推迟。
法人指出，在5纳米制程部分，除了苹果可能延迟量产外，华为、海思的订单依然满载，预计将成为支撑台积电业绩的主要因素。
年后，高通、联发科和英特尔预计将出现接力采用，这将提振对台积电5nm技术的需求。
台积电将于4月16日召开第一季度企业说明会，届时将公布第一季度经营业绩和第二季度经营展望。
预计法人将重点关注台积电年度资本支出及业绩展望等相关问题。
快科技等 1）三星欲降价争取台积电 5G 订单 2）中芯国际利用国内市场巩固 14nm 工艺 3）最后说首个自对准栅极的垂直纳米环栅晶体管周会上，台积电宣布全年资本支出约为1亿美元，其中80%将投资于先进产能扩张，包括7纳米、5纳米和3纳米。
台积电在本次发布会上并没有公布3nm工艺的状况，因为他们将在4月份召开专门的发布会，披露3nm工艺的细节。
台积电的3nm工艺技术最终选择哪条路线，对于半导体行业来说非常重要，因为目前只有台积电和三星能够渗透到3nm节点。
其中，三星去年率先宣布采用3nm工艺，并明确表示将放弃FinFET晶体管。
转向 GAA 环绕栅极晶体管技术。
具体来说，三星的3nm工艺分为3GAE和3GAP。
后者性能更好，但第一代GAA晶体管工艺3GAE是第一。
根据官方的说法，基于新的GAA晶体管结构，三星已经利用纳米片设备制造了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥通道场效应晶体管）。
该技术可以显着增强晶体管性能，主要取代FinFET。
晶体管技术。
此外，MBCFET技术还与现有FinFET制造工艺技术和设备兼容，从而加速工艺开发和生产。
在2017年的日本SFF大会上，三星也公布了3nm工艺的具体指标。
与目前的7nm工艺相比，3nm工艺可减少核心面积45%，功耗降低50%，性能提升35%。
三星计划在年前投资1亿美元打造半导体王国。
由于在7nm和5nm节点上都落后于台积电，因此三星押宝3nm节点，希望超越台积电，成为该节点最大的晶圆代工厂。
因此，三星对3GAE工艺寄予厚望，最快今年就能量产。
至于台积电，将在今年上半年实现5纳米芯片的量产。
2016年，台积电宣布斥资1亿美元建设3纳米工厂，年会上正式开工建设。
不过，技术细节尚未透露，特别是台积电是否会像三星一样选择GAA晶体管，还是继续改进FinFET晶体管。
这两条技术路线将影响未来。
许多高端芯片可供选择。
至于2nm工艺，预计今年就会投产。
--------题外话：确实，台积电对技术的大量投入和创新的决心给其他代工厂或IDM带来了巨大的压力。
为了加快追赶台积电，三星在2016年直接推出了7nm EUV工艺，并且在7nm EUV量产遇到障碍之前，也退而求其次推出了8nm工艺。
与此同时，三星也在加大5nm工艺的研发力度。
为了追赶先进制造工艺，联华电子和中芯国际的净利润率多年来一直徘徊在个位数。
GlobalFoundries已连续10年亏损。
即便是现在，GF和UMC也表示将暂时退出先进制造竞争。
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