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◆作为全球最好的电动汽车动力系统的核心部件，碳化硅芯片正在向更大的毫米晶圆转变。
通过加速生产 专为满足日益增长的全球需求而开发 ◆ 应用材料公司的新型毫米级化学机械平坦化 (CMP) 系统可准确地从晶圆上去除碳化硅材料，以最大限度地提高芯片性能、可靠性和良率 ◆ 应用材料公司的新型碳化硅芯片“热注入”技术可以最大限度地减少注入离子时对晶体结构的损害，从而最大限度地提高发电量和器件产量。
2019年9月8日，应用材料公司宣布今日推出多款新产品，帮助全球领先的碳化硅（以下简称SiC）芯片制造商从毫米晶圆量产转向毫米晶圆量产，数量近一倍每晶圆芯片数量，满足全球对优质电动汽车的需求。
对电力系统的需求不断增长。
碳化硅功率半导体因其能够有效地将电池能量转换为扭矩从而提高车辆性能并延长行驶里程而受到很高的需求。
SiC 的固有特性使其比硅更硬，但它也存在天然缺陷，可能导致电气性能、功率效率、可靠性和产量下降。
因此，有必要在量产前通过先进材料工程优化未加工的晶圆，并在构建电路的同时尽量减少晶格损伤。
应用材料公司集团副总裁兼ICAPS业务部总经理Sundar Ramamurthy表示：“为了帮助推动计算机创新，芯片制造商已将希望转向不断扩大晶圆尺寸并显着提高芯片产量，以满足快速增长的全球需求现在，另一波创新浪潮正在形成，这将受益于应用材料公司在工业规模材料工程方面的专业知识。
”Cree 总裁兼首席执行官 Gregg Lowe 表示，借助 Wolfspeed 技术，我们将能够利用这一拐点来实现这一目标。
通过在更大的毫米晶圆上提供最高性能的碳化硅功率器件，我们在加速从硅到碳化硅的过渡方面处于领先地位，我们可以增加最终客户的价值并满足不断增长的需求。
”我们在奥尔巴尼的毫米级工艺以及在莫霍克谷工厂安装的多台设备正在紧锣密鼓地进行。
”Lowe 补充道。
，转型进展迅速。
不仅如此，应用材料公司的ICAPS团队目前正在开发热注射等多项新技术，拓宽和深化我们的技术合作，使我们的电源技术路线图得以快速发展。
“新型毫米级 SiC CMP 系统 SiC 晶圆表面质量对于 SiC 器件制造至关重要，因为晶圆表面上的任何缺陷都会传递到后续层。
为了批量生产具有最高质量表面的均匀晶圆，应用材料公司开发了 Mirra? Durum? CMP* 系统将抛光、材料去除测量、清洁和干燥集成到一个系统中，这种新系统生产的成品晶圆的表面粗糙度仅为机械减薄 SiC 晶圆的十分之一，即三分之一。
为了帮助行业向毫米级大尺寸晶圆过渡，AMAT 发布了一款新型 Mirra? Durum? CMP 系统，该系统将抛光和材料去除测量、清洁和干燥集成在一个批量生产的统一系统中。
具有极高质量表面的晶圆 热注入可提高 SiC 芯片性能和功率效率 在 SiC 芯片制造过程中，离子注入会在材料中添加掺杂剂，以帮助支持和引导电流电路内的大电流。
由于 SiC 材料的密度和刚度，掺杂剂的注入、精确放置和激活极其困难，同时最大限度地减少对晶格的损坏并避免性能和功率效率。
应用材料公司通过其用于毫米级和毫米级 SiC 晶圆的新型 VIISta? 3D 热离子注入系统解决了这个问题。
这种热注入技术可以减少注入离子时对晶格结构的破坏。
AMAT全新VIISta? 3D热离子注入系统可以将离子注入并扩散到毫米级和毫米级碳化硅晶圆中，产生的电阻率仅为室温注入的四十分之一。
应用材料公司的 ICAPS（物联网、通信、汽车、电源和传感器）部门正在为 SiC 功率芯片市场开发更多采用 PVD*、CVD*、蚀刻和工艺控制的产品。
应用材料公司在美国时间9月8日举办的年度ICAPS和封装硕士课程上详细讨论了该公司在推动SiC和其他特殊半导体技术发展方面所发挥的作用。
*CMP = 化学机械平坦化 PVD ??= 物理气相。
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