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7nm、8nm市场ASIC代工竞争将加剧

发布于：2024-06-06 编辑：匿名来源：网络

中石电子报全球第二大晶圆代工厂Global Foundries（GF）决定无限期搁置7nm投资计划后，7nm及更先进工艺的晶圆代工厂市场将呈现台积电和三星之间的竞争。

台积电正在合并其创意部门，成立合资公司，而三星正在扩大与法拉第未来的合作。

明年预计将赢得7纳米和8纳米市场的多个ASIC订单。

欲对抗台积电与创意联盟三星集团，去年将晶圆代工业务切入独立晶圆代工厂Samsung Foundry后，同时建立完整的先进制程整合服务生态系统（Samsung Advanced Foundry Ecosystem，SAFE），并寻求合适的特殊应用 IC (ASIC) 合作伙伴。

法拉第未来于今年 1 月加入三星 SAFE 系统，不到半年时间就完成了多款 10nm 区块链 ASIC 的设计定型。

因此，三星决定扩大与法拉第未来在ASIC市场的合作。

未来几年，三星除了在先进逻辑工艺上全力支持法拉第未来之外，还将在内存和先进2.5D/3D封装技术方面提供帮助。

三星携手智原未来，在ASIC市场与台积电和创意联盟展开竞争，进一步赢得包括苹果、亚马逊、谷歌、思科等系统或网络制造商的ASIC订单。

事实上，三星最近更新了其晶圆代工先进工艺技术蓝图。

今年它将推出支持极紫外（EUV）光刻技术的7纳米鳍式场效应晶体管（FinFET）工艺。

7nm、8nm市场ASIC代工竞争将加剧

它还将使用浸没式光刻技术。

科技的8nm 8LPU工艺。

同时，明年还将推出支持 EUV 技术的 5nm 和 4nm FinFET 工艺，以及可支持嵌入式射频（+RF）和嵌入式磁阻随机存取存储器（eMRAM）的 18nm 全耗尽绝缘层覆盖。

18FDS硅工艺（FD-SOI）。

至于被认为能够获得FinFET晶体管架构的Gate-All-Around（GAA）架构，三星有望在今年推出采用GAA架构并支持EUV技术的3纳米工艺。

面对台积电在先进封装技术上的激进定位，三星推出了可与台积电扇出晶圆级封装（InFO）竞争的FOPLP-PoP封装工艺，以及可与台积电CoWoS封装工艺竞争的I-Cube封装工艺。

过程。

此外，三星集团本身拥有巨大的DRAM和NAND Flash产能，明年将推出同尺寸异质晶圆完全堆叠的3D SiP封装。

智原的 ASIC 设计能力有帮助，智原表示，今年 1 月加入了三星 SAFE 生态系统，凭借经过充分验证的知识产权 (IP) 解决方案，客户的 ASIC 可以在三星的 FinFET 工艺技术中快速实现。

三星晶圆代工与智原ASIC设计服务的结合，将加速客户在创新应用领域的拓展，提高芯片性能和市场竞争力。

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