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06-18
科技日报链接：Intel重启哥斯达黎加工厂，增加14nm处理器产能。
近期，各大处理器英特尔（Intel）在年内进度上已赶上了10nm工艺，但14nm工艺的产能仍存在短板。
因此，有消息传出，英特尔将把部分产品交给晶圆代工厂龙头台积电。
虽然这并不是英特尔与台积电的第一次合作。
英特尔的SoFIA系列移动处理器此前由台积电代工，但再次合作的消息尚未见结果。
现在，市场有消息称，英特尔预计将把自研的独立显示GPU交给台积电6纳米工艺代工制造，今年也将采用台积电3纳米工艺进行生产。
据外媒《El Chapuzas Informatico》报道，英特尔首席财务官George Davis曾公开表示，英特尔将增加更多产能来填补空缺，以应对14纳米工艺产能的短缺。
至于10nm工艺，预计不会像22nm或14nm工艺那么大规模。
面对未来更多新产品的不断推出，英特尔势必想方设法解决先进工艺的问题。
因此，有消息称Intel将联手台积电，将自研独显GPU交给台积电6纳米工艺。
今年甚至将采用台积电的3纳米工艺进行生产。
报道称，相关消息人士指出，英特尔今年将开始采用台积电的6纳米EUV工艺生产其自研GPU和芯片组。
至于为什么交给台积电生产GPU，主要原因是GPU生产比CPU生产简单，而且台积电在GPU生产方面也很有经验。
根据英特尔官方公布的数据，英特尔自研的Xe架构DG1独显GPU采用自家10纳米制程工艺制造，将于年底推出。
它有96组执行单元，共1个核心，基础频率1GHz，加速频率1.5GHz，还拥有1MB二级缓冲内存和3GB显存，最大功率25W。
据传，在性能方面，基于Xe的DG1独立显卡将介于Nvidia GeForce GTX和GeForce GTX之间。
虽然DG1的定位并不高端，但未来将会推出名为DG2的新一代独显GPU产品。
预计DG2将是一款高性能GPU。
根据此前的市场消息，英特尔的DG2将采用台积电的7纳米工艺技术，但根据目前的市场消息，最终可能会采用台积电的6纳米EUV工艺。
不过，英特尔预计自家的7纳米工艺技术也将在今年量产，官方已经宣布数据中心使用的Ponte Vecchio加速卡将采用自家的7纳米工艺。
因此，英特尔与台积电能否成功联手，开启英特尔独立显示GPU生产的新篇章，还有待观察。
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