中方降低部分原产于美国进口商品关税
06-06
比利时蒙圣吉伯特，2019 年 5 月 13 日 – CISSOID，欧洲高温半导体解决方案的领导者最新的高温栅极驱动器、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模块在电力电子及智能传输产品展览会（PCIM）上展出。
PCIM 是世界领先的电力电子、智能驱动、可再生能源和能源管理展览和会议。
CISSOID 公司推出了一款新型栅极驱动器板，针对额定温度为°C（环境温度）的 62mm 碳化硅 MOSFET 功率模块进行了优化。
该板基于CISSOID的HADES栅极驱动器芯片组，还可以驱动IGBT功率模块，同时为汽车和工业应用中高密度功率转换器的设计提供散热空间。
它支持高频（KHz）和快速碳化硅MOSFET开关（dV/dt 50KV/μs），可以提高电源转换器的效率并减小其尺寸和重量。
该板专为恶劣电压环境而设计，支持 V 和 V 电源模块的驱动。
隔离电压高达V（50Hz、1分钟耐压测试后），爬电距离14mm。
欠压锁定（UVLO）、有源米勒钳位（AMC）、去饱和检测等保护功能确保安全驱动，并在出现故障时对电源模块提供可靠保护。
“这款新型碳化硅栅极驱动板是与汽车、运输和航空航天市场行业领导者多年合作的成果。
它结合了 CISSOID 在碳化硅器件方面的专业知识、针对恶劣环境的芯片设计以及电子系统方面的长期经验。
”CISSOID 工程副总裁 Etienne Vanzieleghem 先生说道。
在纽伦堡，CISSOID还展示了最新的碳化硅MOSFET器件和IGBT功率模块。
新型分立 V/40mOhms 碳化硅 MOSFET 晶体管采用 TO 封装，工作温度范围为 -55°C 至 °C。
MOSFET 在 25°C（结温）时的漏极至源极导通电阻为 40mOhms，在°C（结温）时为 75mOhms。
低开关开启和关闭能量（分别为 1mJ 和 0.4mJ）使该器件成为高效紧凑型 DC-DC 转换器、电源逆变器和电池充电器的理想选择。
CISSOID还展示了两款62mm V IGBT功率模块，额定电流分别为A和A。
CISSOID 还致力于开发碳化硅 MOSFET 功率模块，并将在未来几个月内推出。
“这些新产品体现了 CISSOID 致力于提供全面的基于碳化硅的解决方案，包括晶体管、模块和栅极驱动器，以支持业界在新型电动汽车和可再生能源应用中使用高效、轻量、紧凑的功率转换产品，”先生说CISSOID 首席执行官 Dave Hutton 表示：“我们正在与 OEM 和汽车零部件供应商密切合作，为新能源汽车中的新型碳化硅功率逆变器应用定制栅极驱动器。
”如需了解更多信息，请访问。
版权声明：本文内容由互联网用户自发贡献，本站不拥有所有权，不承担相关法律责任。如果发现本站有涉嫌抄袭的内容，欢迎发送邮件 举报，并提供相关证据，一经查实，本站将立刻删除涉嫌侵权内容。
标签：
相关文章
06-06
06-18
06-18
06-18
06-17
06-17
最新文章
英特尔收购芯片制造商eASIC，进一步减少对CPU的依赖
西门子携手现代汽车、起亚公司，共同推动交通运输行业数字化转型
行业领导者制定 Open Eye MSA 来帮助实现高速光连接应用
三星电子和 NAVER 合作
意法半导体和 Leti 合作开发 GaN-on-Si 功率转换技术
青岛将大力发展高世代TFT-LCD和Micro LED项目
长电科技参加IMAPS器件封装大会
三星正式发布Exynos 990旗舰处理器