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Cree正在美国建设全球最大的SiC制造工厂和SiC走廊

发布于：2024-06-06 编辑：匿名来源：网络

Cree宣布扩建计划进展，将在美国纽约州建设全球最大的SiC制造工厂。

最先进的晶圆厂位于纽约州和北卡罗来纳州。

最先进的超级材料工厂，将在美国东海岸打造碳化硅走廊 · 此次合作将打造更大规模、高度自动化的晶圆厂，实现比原计划更低的净成本 · 原计划 mm功率和射频晶圆制造该工厂也称为“North Fab”，将建在纽约州的一个新地点。

超级材料工厂的建设和扩建将在公司位于北卡罗来纳州的全球总部继续进行。

该计划将实现25%的产能提升和升级。

低净资本支出（净资本支出）2020 年 9 月 23 日，美国北卡罗来纳州达勒姆 – 作为碳化硅 (SiC) 技术的全球领导者，美国纳斯达克 Cree, Inc. (CREE) 今天宣布计划创建一个位于美国东海岸的碳化硅（SiC）走廊，建设全球最大的碳化硅（SiC）制造工厂。

Cree将在美国纽约州马西建造一座新的毫米功率和射频(RF)晶圆制造工厂，该工厂采用最先进的技术并符合汽车级标准，并将配套建造一座大型材料工厂。

扩建工作正在公司达勒姆总部进行。

新的制造工厂是之前宣布的计划的一部分，该计划旨在大幅提高 Wolfspeed 碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 业务的产能，打造规模更大、高度自动化和产量更高的工厂。

产能工厂。

Cree正在美国建设全球最大的SiC制造工厂和SiC走廊

通过与纽约州州长 Andrew M. 办公室的战略合作，节省了净成本。

因此，Cree 将继续推进从硅 (Si) 到碳化硅 (SiC) 技术的过渡，以满足对该公司开创性 Wolfspeed 技术日益增长的需求，并支持不断增长的电动汽车 (EV)、4G/5G 移动和工业市场。

。

Cree首席执行官Gregg Lowe表示：“碳化硅（SiC）是我们这个时代最关键的技术之一，处于创新的核心，服务于当今一系列最具突破性和创新性的市场，包括从内燃机到转型的一切市场。

到电动汽车（EV）、超高速5G网络的部署等。

这个采用最先进技术并符合汽车级标准的晶圆制造厂是基于我们在突破性技术商业化方面30多年的积累帮助我们的。

客户开发下一代应用程序。

我们期待连接北卡罗来纳州和纽约的创新中心，以推动碳化硅 (SiC) 的更快采用。

“我们非常高兴与 Cree 合作，推动从硅到碳化硅 (SiC) 的过渡，”帝国大厦开发公司代理专员、总裁兼候任首席执行官 Eric J. Gertler 说道。

转型。

这种合作将是我们增强研究和科学资产工作的关键部分，使该州能够在未来吸引更多的工业并创造更多的就业机会。

纽约州莫霍克谷地理位置得天独厚，拥有高价值的高科技和科学资产。

这是增加先进制造基础设施和投资北部经济的重要一步。

“作为此次合作的一部分，Cree 将投资近 10 亿美元用于纽约州晶圆厂的建设、设备和其他相关成本。

纽约州将提供 Empire State Development 提供的 5 亿美元资金，Cree 将获得与额外的当地激励措施和税收减免，以及来自纽约州立大学的设备和工具，该公司预计将从其先前宣布的10亿美元产能扩张计划中实现近2.8亿美元的净资本节省，与先前计划的工厂相比，这将带来近2.8亿美元的净资本节省。

这座新工厂计划在2018年实现量产，建成面积为1000平方英尺，其中近1/4将是洁净室，以提供未来产能扩张的需求。

扩建计划将进一步增强Cree的竞争领导地位，并基于超高速碳化硅（SiC）走廊的创建，加速碳化硅（SiC）在一系列高增长行业的采用。

凭借位于尤蒂卡的材料工厂和最先进的晶圆制造工厂，Cree 将利用在北卡罗来纳州研究三角区 30 多年的经验创建一条“碳化硅 (SiC) 走廊”。

Cree将与北卡罗来纳州和纽约州的当地社区和四年制学院和大学合作，利用纽约州莫霍克谷的丰富资源和强大的技术基础，开发培训和发展计划。

和实习计划，为这两个地点提供一系列高科技工作和长期发展机会。

关于 Cree Cree 是 Wolfspeed 功率和射频 (RF) 半导体以及照明级 LED 领域的创新者。

Cree 的 Wolfspeed 产品组合包括碳化。

硅（SiC）材料、功率器件、射频器件广泛应用于电动汽车（EV）、快充、逆变器、电源、电信、军事、航空航天等领域。

Cree的LED产品组合包括蓝光和绿光LED芯片、高亮度LED和照明级大功率LED，广泛应用于室内外照明、显示屏、交通、特殊照明等领域。

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