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06-18
新闻亮点 · 英特尔的工艺技术和封装技术创新路线图将为从现在到明年乃至更长时间的下一波产品注入动力。
· 两项突破性制程技术：英特尔十多年来推出的首款新型晶体管架构RibbonFET，以及业界首个背面电力传输网络PowerVia。
· 随着英特尔进入半导体埃时代，更新后的节点命名系统将创建一致的框架，帮助客户和业界对工艺节点演进建立更准确的理解。
·英特尔代工服务（IFS）势头强劲，首次公布合作客户名单。
今天，英特尔公司宣布了该公司有史以来最详细的工艺技术和封装技术路线图，展示了一系列基础技术创新，这些创新将继续推动从现在到 2020 年及以后的新产品开发。
除了推出十多年来首个新型晶体管架构 RibbonFET 和业界首个新型背面供电网络 PowerVia 外，英特尔还强调了快速采用下一代极紫外光刻 (EUV) 技术的计划，该技术被称为高光刻技术。
-电压光刻。
数值孔径（高数值孔径）EUV。
英特尔有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。
基于英特尔在先进封装领域无可置疑的领先地位，我们正在加快工艺创新路线图，以确保到 2020 年工艺性能再次领先行业。
英特尔正在利用我们无与伦比的持续创新动力，实现从晶体管到系统的技术进步等级。
直到元素周期表耗尽，我们将继续追求摩尔定律，继续利用硅的神奇力量推进创新。
——英特尔公司首席执行官帕特·基辛格 业界早已认识到，从今年开始，传统的基于纳米的工艺节点命名方法不再对应于晶体管的实际栅极长度。
今天，英特尔为其工艺节点推出了新的命名系统，创建了一个清晰一致的框架，帮助客户更准确地了解整个行业工艺节点的演变。
随着英特尔代工服务 (IFS) 的推出，为客户提供清晰的信息比以往任何时候都更加重要。
基辛格表示：“今天宣布的创新技术不仅有助于英特尔规划其产品路线图，而且对我们的代工服务客户也至关重要。
业界对英特尔代工服务（IFS）有着浓厚的兴趣，今天我很高兴宣布两项我们第一次与重要客户合作。
英特尔代工服务已起航！英特尔技术专家详细介绍了以下路线图，其中包括新的节点命名和实现每个工艺节点的创新技术： · 基于 FinFET 晶体管优化，英特尔 7 相比英特尔 10 纳米 SuperFin，每瓦性能将提高约 10% -15%。
2020年推出的Alder Lake客户端产品将采用Intel 7工艺，接下来是用于数据中心的Sapphire Rapids，预计今年第一季度投产。
· Intel 4全面采用EUV光刻技术，可使用超短波长。
长光，雕刻极其微小的图案。
随着每瓦性能提升约20%以及芯片面积的改善，Intel 4将于今年下半年投产，并于2020年出货。
这些产品包括面向客户的Meteor Lake和面向客户的Meteor Lake。
数据中心的花岗岩急流。
· 随着FinFET的进一步优化以及EUV在更多工艺中的使用增加，Intel 3相比Intel 4每瓦性能将实现约18%的提升，并且还将拥有额外的芯片面积。
改进。
Intel 3将于下半年用于相关产品生产。
Intel 20A 将通过 RibbonFET 和 PowerVia（Intel 的 Gate All around 晶体管实现）迎来 Ami 时代。
这是自 2017 年首次推出 FinFET 以来的首个新型晶体管架构，该技术可加快晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更少。
PowerVia 是英特尔独特的业界首款背面电源。
传输网络无需前端电源布线，可优化信号传输。
英特尔 20A 预计将于 2020 年推出。
英特尔也很高兴与高通在英特尔 20A 工艺技术及其他方面进行合作。
：英特尔 18A 节点是英特尔 20A 的升级版本，也正在开发中，将于今年年初推出。
它将改进RibbonFET，实现晶体管性能的又一次重大飞跃。
英特尔还致力于定义、构建和部署下一代 High。
-NA EUV，预计将率先获得业界第一台高NA EUV光刻机。
英特尔高级副总裁兼技术开发总经理表示，英特尔正在与 ASML 密切合作，以确保这项超越当前一代 EUV 的行业突破性技术取得成功。
Ann Kelleher 博士表示：“英特尔在工艺技术方面拥有悠久的基础创新历史，推动了行业的飞跃。
我们引领了从 90 纳米应变硅到 45 纳米高 K 金属栅极的过渡，并率先推出了 22 纳米 FinFET。
凭借RibbonFET和PowerVia两项突破性技术，Intel 20A将成为制程技术的又一个分水岭。
“随着英特尔新的IDM 2.0战略的实施，封装对于实现摩尔定律的好处变得更加重要。
英特尔宣布AWS将成为第一个使用英特尔代工服务（IFS）封装解决方案的客户。
英特尔领先业界的先进技术封装路线图提出： · EMIB 将作为首款 2.5D 嵌入式桥接解决方案继续引领行业，英特尔自 2016 年以来一直在出货 EMIB 产品。
首款出货的英特尔至强数据中心产品也将是业界首款。
提供与单片设计几乎相同的性能，但集成了两个标线尺寸的器件，继 Sapphire Rapids 之后，下一代 EMIB 凸块间距将从 55 微米缩短至 45 微米。
首款具有 36 微米凸点间距、基于多个工艺节点的不同晶圆以及 5W 热设计功率范围的 3D 堆叠解决方案 · Foveros Omni 开创了用于芯片间互连和模块的下一代 Foveros 技术。
高性能3D堆叠技术。
灵活的设计提供了无限的灵活性。
Foveros Omni 允许芯片拆卸，根据不同的晶圆工艺节点将多个顶部晶圆与多个基板混合和匹配。
预计将于 2020 年用于量产产品。
Foveros Direct 能够实现向铜对铜直接键合的转变，从而实现低电阻互连，并使晶圆制造和封装之间的界限变得不那么明显。
Foveros Direct 达到 10 微米。
以下凸块间距将 3D 堆栈的互连密度提高了一个数量级，引入了以前无法实现的功能芯片分区的新概念。
Foveros Direct 是 Foveros Omni 的补充，预计也将得到实施。
于 2017 年投入量产产品。
今天讨论的突破性技术主要是在英特尔俄勒冈州和亚利桑那州工厂开发的，巩固了英特尔作为唯一一家同时拥有芯片研发和制造能力的美国领导者的地位。
，这些创新还受益于与美国和欧洲合作伙伴生态系统的密切合作。
深厚的合作伙伴关系是将基础创新从实验室研究转向大规模制造的关键，英特尔致力于与世界各地的政府合作，加强供应链并促进经济和国家安全。
在线会议结束时，英特尔宣布将举办“英特尔创新”峰会，并公布了更多相关细节。
“英特尔创新”峰会将于10月27日至28日在旧金山以线下和线上的方式举行。
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