内存芯片真的回暖了
06-17
cnBETA 英国芯片设计公司ARM宣布与美国国防高级研究计划局(DARPA)签署了为期三年的合作协议。
这一发展与美国半导体的最新发展是一致的。
制造业是根据其国内努力引入的。
这一消息发布之际,该机构正在结束与其电子复兴计划 (ERI) 相关的活动,该计划的重点是减少对国际制造半导体的依赖。
根据合作伙伴关系,ARM 的所有商业芯片设计架构和知识产权都将可供 DARPA 项目使用。
两人还将在诸如依靠低功耗使用来实现连续监控的传感器等工作上进行合作。
在昨天举行的 ERI 峰会上,ARM 首席执行官 Simon Segars 重点关注了物联网 (IoT) 类别的设备及其与下一代 5G 网络的连接。
ERI是政府重点将芯片设计和创新资源转移到国外后成立的一个为期两年的项目。
其目的是汇聚工业界和学术界的合作伙伴,共同推动微电子产业的四个方面的发展。

一个关键区域。
这些领域包括开发用于芯片制造的新材料、通过硅通孔垂直集成多个器件、创建芯片的定制应用以及确保芯片安全和设计方面的最新知识。
ARM 和 DARPA 还在传感器方面进行合作,这些传感器是近零功率射频和传感器操作 (N-Zero) 计划的一部分。
通过该计划,ARM 将向 DARPA 员工提供对其知识产权的访问权限。
N-Zero计划专门用于军事用途的产品,其目标是开发能够在低功耗状态下检测光、声音和运动并长时间保持休眠状态的传感器。
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