特斯拉全球第五家工厂或将落户中国
06-17
据日经中文网报道，12月15日在日本东京开幕的半导体展“SemiconJapan”上，来自台积电（TSMC）和英特尔的高管美国总统发表演讲，预测3D将推动半导体性能的提升。
重点发展新型制造技术，装备和材料制造商将发挥更加重要的作用。
“在3D封装生态系统的构建中，基板和封装等设备和材料将变得越来越重要，”台积电董事Chris Chen强调，该公司在日本茨城县筑波市设立了研发基地。
3D化是一种在同一基板上集成更多芯片的技术。
该基地将开发用树脂等封装半导体并将其安装在基板上的技术。
以台积电为代表的大型半导体公司之所以大力开发3D封装技术，是因为仅靠传统技术开发已经无法满足以智能手机为代表的最终产品的高性能要求。
此前，缩小电子电路面积的“小型化”技术对于提高半导体性能发挥了重要作用。
然而，目前的电路线宽已小型化至几纳米，开发难度越来越大。
因此，除了在一颗芯片上集成微小电路外，在同一基板上集成更多芯片的技术也成为关键。
当天发表演讲的英特尔高管彭白表示，“封装技术的升级是实现摩尔定律性能的重要因素”。
呼吁日本设备和材料制造商加大投资力度，与英特尔合作。
值得一提的是，AMD已经成为3D封装的先驱。
今年11月，AMD首款基于3D Chiplet技术的数据中心CPU正式亮相。
利用台积电（TW）的先进封装工艺，击败英特尔（INTC-US）赢得Meta（FB-US）订单。
业内人士报道，这种先进封装工艺的前端除了采用与晶圆工艺类似的设备外，湿法工艺阶段则由鸿塑（TW）与新云（TW）、新鸿科（TW）相匹配，形成了这套设备，直接供应台积电，在台湾本土供应链中扮演重要角色。
此外，日本首相岸田文雄在本次会议上发表视频讲话，表示为了强化日本国内半导体制造体系，“（日本）政府和民间部门将实施总额超过1万亿日元的大胆投资”。
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