降低VR音视频内容制作门槛，分石视频完成数千万Pre-A+轮融资
06-18
在第64届国际电子器件会议（IEDM）上，全球两大半导体巨头展示了逻辑芯片制造工艺中嵌入式MRAM的新技术。
首先我们来看看MRAM（磁性随机存取存储器），它是一种非易失性磁性随机存取存储器。
它具有静态随机存储器（SRAM）的高速读写能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，并且基本可以无限重复、无限写入。
英特尔描述了其 22 FFL 工艺中的 STT-MRAM（基于 MRAM 的自旋转移力矩）非易失性存储器的关键特性。
英特尔称其为“第一个基于 FinFET 的 MRAM 技术”。
这项技术可以理解为“生产就绪”阶段，英特尔尚未向任何代工客户透露这一工艺信息，但根据多方消息来源，目前正在发货的商品已经采用了这项技术。
。
与此同时，三星在 28nm FDSOI 平台上描述了 STT-MRAM。
从可扩展性、形状依赖性、磁性可扩展性等方面衡量，STT-MRAM 目前被认为是最好的 MRAM 技术。
MRAM 技术自 20 世纪 90 年代以来一直在发展，但尚未取得广泛的商业成功。
三星研发中心首席工程师、该公司 IEDM 论文的主要作者 Yoon Jong Song 表示：“我认为现在是展示我们在制造和商业化方面成果的时候了。
”随着行业向更小的节点转移，技术上面临严峻的可扩展性挑战。
除了被视为取代传统存储芯片 DRAM 和 NAND 的候选者之外，MRAM 还被视为一种有吸引力的嵌入式技术，可以取代闪存和嵌入式 SRAM。
因为它的读写速度快、耐用性高、保持力强。
嵌入式 MRAM 被认为特别适合物联网 (IoT) 设备等应用。
Globalfoundries 自去年以来已在其 22 FDX 22nm FD-SOI 工艺上提供嵌入式 MRAM。
但行业分析师Jim Handy表示，他并不清楚Globalfoundries的嵌入式MRAM技术的具体商业应用。
“没有人提到这一点的原因是他们必须添加新材料，”他说。
但随着制造成本下降以及其他内存技术面临可扩展性挑战，嵌入式 MRAM 正在获得更多考虑。
“重要的是，随着新工艺技术的发展，SRAM单元的尺寸不会随着剩余工艺而缩小，从这个角度来看，MRAM变得越来越有吸引力，”Handy说。
英特尔在论文中表示，其嵌入式 MRAM 技术可实现在摄氏度下长达 10 年的存储周期以及超过 100 个开关周期的耐用性。
该技术采用mm×mm 1T-1R存储单元。
同时，三星还声称其8Mb MRAM的电池寿命为10倍，存储期限为10年。
宋表示，三星的技术最初将用于物联网应用。
他说，在用于汽车和工业应用之前，必须提高可靠性。
“我们已经成功地将技术从实验室转移到工厂，并将在不久的将来推向市场”。
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