天猫精灵高管辞职?我的回答:只是一个简单朴实的产品,经理
06-18
与硅相比,碳化硅(SiC)肖特基二极管采用新技术,提供更好的开关性能和更高的可靠性。
SiC无反向恢复电流,具有不受温度影响的开关特性和优异的散热性能,因此被视为下一代功率半导体。
ON Semiconductor 扩展了其伏特 (V) SiC 二极管系列,以提供更高的能源效率、更高的功率密度和更低的系统成本。
当工程师为太阳能光伏逆变器、电动汽车/混合动力汽车 (EV/HEV) 充电器、电信电源和数据中心电源等各种应用设计 PFC 和升压转换器时,他们经常面临新的挑战。
以小尺寸实现更高能源效率的挑战。
这些新型二极管可以为工程师解决这些挑战。
自第一个SiC二极管推向市场已有16年多的时间,该技术已日趋成熟,质量/可靠性测试和现场测试充分证明了其高品质水平。
衬底加工、外延生长和制造方面的进步显着降低了缺陷密度,我们将看到持续的工艺改进和更高的产量。
安森美半导体在整个工艺周期中采用独特的方法,确保客户获得最高质量的产品。

另一个重要的考虑因素是 SiC 二极管/MOSFET 的设计。
SiC 可以应对高场应力,因此许多设计都是为了应对这些高应力条件而设计的。
例如,终端结构需要花很多心思来确保设备的耐用性。
利用宽带隙 (WBG) 材料的独特特性,SiC 技术提供了优于硅的真正优势。
其坚固的结构为恶劣环境下的应用提供了可靠的解决方案。
我们的客户将受益于这些采用简化、更高性能、更小外形设计的新设备。
SiC 为系统带来显着优势。
SiC更高的开关频率允许使用更小的磁性元件和无源元件,使整个系统缩小50%以上,从而显着节省整体元件和制造成本。
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