“飞秒激光研究中心”完成数千万元Pre-A轮融资
06-18
美国商业资讯 - Transphorm Inc. 今天宣布，在设计和制造业界最高可靠性且首款符合 JEDEC 和 AEC-Q 的氮化镓 (GaN) 半导体方面处于领先地位推出第三代 (Gen III) 伏 (V) GaN FET。
采用第三代技术的功率晶体可以降低电磁干扰（EMI），提高栅极噪声抑制能力，并在电路应用中提供更大的设计余量。
这个屡获殊荣的平台的发展源于 Transphorm 团队与客户合作设计正在生产或即将发布的最终产品所获得的知识。
即将推出的第三代组件包括 TP65HWS 50mΩFET 和 TP65HWS 35mΩFET，均采用标准 TO 封装。
Transphorm 与客户合作的丰富经验 = 产品开发优势 Transphorm 是唯一拥有 FET 开发各个阶段所需关键技术的 GaN 半导体公司之一。
有鉴于此，使用第一代和第二代平台与客户共同开发设计时获得的知识可以应用于硅基氮化镓技术，以提高晶体管的质量、可靠性和性能。
收集的数据还可以促进开发技术、简化设计复杂性、提高安全质量和/或进一步增强电力系统性能。
进一步探索向第三代过渡主要有两个机会：大幅增加GaN技术本身的固有优势和增强FET的性能。
此外，设计和制造方面的创新使Transphorm能够降低模块价格并创造更好的投资回报。
从技术上讲，新的 MOSFET 与其他设计修改相结合，使第三代组件能够提供： 将第二代的栅极阈值电压（抗噪性）从 2.1 V 提高到 4 V，而无需负电压栅极驱动。
栅极可靠性等级为±20V；比第二代增加11%。
因此，开关更加安静，同时该平台简化了外部电路，可以在更高的电流水平下运行并实现更好的性能。
关于已经学到的一些设计技术，Transphorm 在其应用说明中发布了抑制振荡的正确解决方案：Transphorm GaN FET 的推荐外部电路。
示例中推荐使用包括直流链路 RC 缓冲器和开关节点 RC 缓冲器。
上述对策提高了稳定性，而不会对效率产生不利影响。
值得注意的是，上述解决方案可以使半桥和无桥图腾柱 PFC 拓扑受益。
“根据客户需求和实际经验来发展我们的 GaN 技术对我们来说非常重要。
我们的第三代 FET 体现了只要我们坚持这一基本理念，一切皆有可能。
”Transphorm 技术营销副总裁 Philip Zuk 说道。
“我们带来了更安全、更具成本效益的高压 GaN FET。
我们相信这些产品将被客户视为新一代功率半导体，提供无与伦比的效率、高功率处理能力和其他易用性能Transphorm 工程高级副总裁 Yifeng Wu 博士补充道： -单价：11.55 美元（单价按单个单元批次计算） 最佳输出额定值：1.5 kW 至 5.0 kW 取决于其针对各种应用的设计方式 市场应用：工业系统 电源应用 数据中心 商业电源 可再生能源设计资源：数据表 测试评估套件 SPICE 模型 高质量白皮书 欢迎体验 GaN 创新！ Transphorm 设计、制造和销售用于高压功率转换应用的最高性能、最高可靠性的 GaN 半导体。
Transphorm 拥有全球最大的功率 GaN IP 组合（超过全球多项已发布和正在申请的专利），并生产业界唯一获得 JEDEC 和 AEC-Q 认证的 GaN FET。
这来自垂直整合的业务方法，该方法在每个阶段都进行创新：材料和组件设计、制造、电路集成、封装、参考电路设计和应用支持。
Transphorm：使电力电子应用超越硅的限制。
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