1300亿制药巨头霸气当LP：一日官方宣布投资5只基金
06-17
主要功率半导体晶圆制造代工厂汉磊公布今年第三季度营收。
由于前三季度市场遭遇去库存、去库存、市场行情不佳等因素影响，第三季度营收为1.24亿美元，同比下降21.2%。
面对恶劣环境的挑战，汉磊总经理庄元琪表示：“从今年三季度开始，营收表现将触底反弹，并且随着功率半导体需求逐季企稳；预计到今年第二季度，整体产能利用率可能会升至90%。
”出于成本考虑，目前的功率组件主要基于Si和SiC晶圆结合外延技术。
由于功率半导体需要很大的工作电压，传统的硅元件由于其自身的材料特性已经崩溃。
电压值（击穿电压）不能承受超过数百伏，因此元件材料逐渐被第三代半导体宽禁带材料（SiC和GaN）取代。
另一方面，出于晶圆（Substrate）成本和工艺条件等考虑，Si晶圆在尺寸和价格上仍比SiC和GaN晶圆更大、更便宜。
因此，为了有效降低晶圆成本，外延生长技术此时就变得极其重要。
目前，制造功率半导体的主流晶圆仍然是硅晶圆，尺寸较大且价格低廉。
SiC晶圆可以承受高电压，但尺寸稍小且价格较贵，处于次要地位。
选择晶圆材料（Si或SiC）后，可以使用MOCVD或MBE机器生长器件所需的SiC或GaN外延结构；然后进行相关的半导体前端工艺（薄膜、显影、蚀刻）。
终于完成了1个电源组件。
全球数据中心及5G基站建设需求引领电力IDM厂及代工厂营收动能。
根据目前功率半导体的发展情况，目前采用的是GaN（氮化镓）、SiC（碳化硅）等第三代半导体材料。
主持人。
其中，以英飞凌、Cree、II-V等国际IDM厂商投资最为积极，相关厂商正试图抢占宽带隙材料外延代工和晶圆代工的全球市场。
随着近期服务器数据中心和5G基站设备建设的需求，预计到今年第四季度，国际主要IDM厂商对功率半导体和电源管理芯片的订单需求将逐渐增加，从而带动底层制造代工厂的相关产能。
跟随扩展。
顺应这一发展趋势，汉磊成为第三代半导体的主要制造代工厂。
虽然前三季度营收市场表现稍差，但随着近期IDM各大厂商订单逐步转移，将带动整体产能利用率提升，对后续业务发展有一定帮助。
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