韦尔股份做LP，一举投了3.7亿
06-17
据《电子时报》报道，业内人士透露，三星电子3nm GAA工艺仍面临漏电等关键技术问题。
消息人士称，该工艺性能较差，成本可能还不如台积电的3nm FinFET工艺。
三星可能最早在 2020 年就将 3nm GAA 工艺量产，但由于成本高昂且性能不理想，可能无法吸引台积电 3nm FinFET 工艺获得的客户，据称台积电 3nm FinFET 工艺已获得苹果和英特尔。
据报道，三星在3nm工艺方面的流片进度是与Synopsys合作完成的，旨在加速为GAA架构的生产工艺提供高度优化的参考方法。
三星的3nm工艺采用GAA结构，而不是台积电或英特尔使用的FinFET结构。
因此，三星采用了Synopsys的Fusion Design Platform。
在技??术性能方面，基于GAA架构的晶体管可以提供比FinFET更好的静电特性，并且可以满足一定栅极宽度的要求。
这主要体现在相同尺寸结构下GAA通道控制能力的增强，为进一步缩小尺寸提供了可能。
此外，TechWeb援引外媒报道称，已经量产5nm工艺技术一年多的台积电正在全力推进3nm工艺的量产。
他们的3nm工艺计划今年进行风险试产，明年下半年正式量产。
不过，据知情人士透露，台积电3nm工艺技术的量产时间将最多延迟4个月。
从外媒报道来看，三星电子的3nm工艺也遇到了困难。
研究机构预测，三星采用全能栅极晶体管（GAA）技术的3nm工艺技术，在今年之前不太可能量产。
产业链人士还透露，三星3nm制程技术采用全能栅极晶体管（GAA）技术，研发仍面临挑战，关键技术问题尚未解决。
GAA FET 有两种结构。
一种是常见的使用纳米线作为电子晶体管鳍片的GAAFET，另一种是多桥沟道场效应晶体管，其鳍片以纳米片的形式更厚。
MBCFET，两种方法都可以做到3nm，但是要看具体的设计。
从GAAFET到MBCFET，可以看作是从二维到三维的飞跃，可以改善电路控制，降低漏电率。
根据专家意见：GAA晶体管可以提供比FinFET更好的静电特性，并且可以满足一定的栅极宽度要求。
这主要体现在相同尺寸结构下GAA通道控制能力的增强，使得进一步缩小尺寸成为可能；传统FinFET的沟道仅在三边被栅极包围，而GAA则以纳米线沟道设计为例。
整个外轮廓被闸门完全包裹，这意味着闸门对通道有更好的控制力。
与7nm FinFET制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提升了35%以上，功耗降低了50%，逻辑面积减少了45%。
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