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06-18
战略新转变：三菱电机按下功率半导体“加速键”。
2019年8月29日，PCIM Asia上海国际功率元件及可再生能源管理展览会在上海新国际博览中心盛大开幕。
展览为期3天。
作为亚洲领先的电力电子展览会，该展会云集行业领袖，探讨最新的行业趋势和创新发展路径。
作为本次展会的赞助商，三菱电机半导体带来了变频家电智能功率模块SLIMDIP-ZTM、工业及新能源发电用三电平IGBT模块、新型3.3kV高压SiC-MOSFET模块，以及下一代电动汽车专用电源模块。
4款新品及14款涵盖多个电力电子应用领域的经典产品亮相。
以行业发展和应用为导向，全面展示了三菱电机功率器件的产品及技术动态。
8月30日，三菱电机召开主题为“创新功率器件，构建可持续未来”的媒体发布会。
三菱电机半导体大中华区总经理Tomoshi Akata、三菱电机功率器件制造有限公司首席技术顾问Gourab Majumdar博士、三菱电机功率器件制造有限公司高级技术顾问Harufusa Kondo、三菱电机半导体大中华区市场总监陈伟雄、三菱电机半导体大中华区技术总监宋高升莅临发布会发表主题演讲，并与记者就三菱电机最新产品、技术趋势、市场等进行互动并回答记者提问。
三菱电机成立于2007年，是一家全球知名的技术驱动发展的综合性企业。
三菱电机凭借雄厚的技术实力和良好的企业信誉，在全球电力设备、通信设备、工业自动化、电子元件、家用电器等市场占据主导地位。
的重要地位。
尤其是在电子元件市场，三菱电机从事半导体的开发和生产已有67年的历史。
其半导体产品应用于变频家电、轨道交通、工业与新能源、电动汽车、模拟/数字通信、有线/无线通信等领域。
已被广泛应用。
业务层面，从财报来看，三菱电机实现了稳定增长。
公告显示：三菱电机本财年净利润为1亿日元，营收同比增长12%至6亿日元。
三菱电机预计本财年营收为0亿日元，营业利润为1亿日元，净利润为1亿日元。
日元。
在三菱电机前段时间举行的投资说明会上，三菱电机社长兼首席执行官浦岛圭先生强调，功率半导体业务是集团业务增长的主要动力。
继续以创新产品引领行业。
展会上首次亮相的四款新品延续了三菱电机在各个应用领域不断创新、迭代的一贯精神，以前沿技术和创新产品引领变频家电、轨道牵引、工业及新产品领域。
能源和电动汽车产业发展。
（三菱电机首次亮相PCMI）在变频家电行业，继SLIMDIP-STM、SLIMDIP-MTM、SLIMDIP-WTM、SLIMDIP-LTM、SLIMDIP-XTM之后，SLIMDIPTM封装系列又增添了新成员——SLIMDIP-ZTM 。
SLIMDIP-ZTM额定电流高达30A，主要应用于3HP变频空调系统。
为了满足变频家电市场高可靠性、低成本、小型化的应用需求，三菱电机优化了SLIMDIP-ZTM的内部结构，扩大了RC-IGBT芯片的安装面积，采用新型绝缘导热垫可降低热阻。
减少约40%。
SLIMDIP 系列封装可帮助设计人员缩短开发时间并实现更简单、更小型的家用电器逆变器系统。
（变频家电智能功率模块SLIMDIP-ZTM）在工业及新能源行业，本次展示的这款用于工业及新能源发电的三电平IGBT模块，采用T型三电平拓扑。
半桥部分采用V第7代IGBT，交流开关部分采用V第7代IGBT。
该三电平模块有A和A两种电流规格。
优化的封装设计使模块可以通过不同数量的并联实现转换器的灵活功率配置，简化电路设计。
在轨道牵引行业，继3.3kV/A、3.3kV/A和3.3kV/A全碳化硅模块之后，三菱电机又新开发了集成SBD的SiC-MOSFET模块。
其规格为3.3kV/A。
它将有助于为铁路、电力系统和大型工业变流器系统提供更大的功率密度、更高的效率和可靠性。
在封装结构和形式上，该SiC MOSFET模块采用集成SBD和优化封装结构的SiC MOSFET。
与公司现有硅功率模块相比，开关损耗降低91%。
与现有的3.3kV/A全SiC功率模块相比，降低了66%。
这减少了转换器功率损耗，有助于提高输出功率和效率，并有效减少碳排放。
此外，该SiC MOSFET模块采用LV封装形式，可通过不同数量的并联实现转换器的灵活功率配置，简化电路设计。
（新型3.3kV高压SiC-MOSFET模块） 在电动汽车行业，三菱电机正在开发下一代电动汽车专用功率模块。
该系列模块有V 和V 两个电压等级，分别采用SiC MOSFET 和RC-IGBT 芯片技术。
该系列模块采用三菱电机擅长的注塑工艺。
在保证可靠性的同时，大大提高了生产效率。
按下功率半导体的“加速键” 今年的市场形势严峻。
寒冷的环境迫使企业“向内转”，裁员、控制成本，甚至不得不大幅裁员。
与市场上大多数企业相比，三菱电机半导体呈现出罕见的利好局面：在功率半导体投资扩产、技术布局等方面重磅消息接连传来，并确定了采用碳化硅的核心战略作为业务增长的关键——继续开发汽车产品，加快新一代产品的开发，并扩大全球销售。
扩产方面，2019年3月，三菱电机宣布将在截至2019年3月的五年内将此前宣布的投资计划翻倍至约1亿日元，主要用于建设新晶圆厂以增加碳化。
硅 (SiC) 功率半导体的生产。
具体来说，三菱电机计划于今年4月在日本熊本县菊池市（泗水）开始运营一座新的碳化硅8英寸晶圆工厂。
此外，还有计划扩建碳化硅6英寸晶圆工厂（位于日本熊本县喀什市）。
到2020年，碳化硅产能预计将扩大到目前水平的五倍左右。
三菱电机半导体大中华区总经理赤田赤士透露，预计2019年三菱电机SiC功率模块营收占比将提升至30%以上。
市场方面，作为三菱电机核心优势产品，三菱电机一直自2016年起开发SiC相关技术和模块，并在全球率先应用于变频空调和高速列车。
截至年底，三菱电机的硅基和碳化硅基汽车功率器件已应用于全球超过2600万辆汽车的电驱动系统中。
据悉，在功率模块领域，三菱电机全球市场份额排名第一。
其中，消费电子智能功率模块市场占有率位居全球第一，轨道牵引用全碳化硅功率模块市场占有率也位居全球第一。
Chishi Akada进一步提到，三菱电机将把业务增长重点放在新能源汽车领域和消费电子领域，同时保持对工业、可再生能源和铁路牵引等应用领域的资源投入。
在技??术方面，三菱电机拥有多种尖端技术，如外延和工艺上的高品质化合物半导体技术、自主开发的沟槽（Trench）结构SiC-MOSFET实现的低功耗芯片技术、以及业界领先的技术等。
三菱电机功率器件制造有限公司首席技术顾问Gourab Majumdar博士也在发布会上对三菱电机的技术进展进行了充分的补充，包括硅基和轻量化模块技术等。
碳化硅基。
以硅基芯片为例，三菱电机研发的硅基IGBT芯片从第3代IGBT到目前的第7代IGBT，面积越来越小，每一代IGBT的损耗也在不断降低。
目前，三菱电机推出了新型RC-IGBT芯片，采用更精细的结构理念和更新的工艺技术。
据悉，新一代RC-IGBT芯片可以改善散热以降低热阻，其损耗也较传统RC-IGBT降低50%左右。
为了进一步强化技术优势，整合优势技术资源，今年7月，三菱电机宣布投资Novel Crystal Technology, Inc.。
随着以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体逐渐进入市场，产业化加速放量阶段，三菱电机按下了抢占技术先机的“捷径”。
三菱电机预计将其在低能量损耗、高可靠性功率半导体设计和制造方面的专业知识与Novel Crystal Technology在镓生产方面的专业知识相结合，加速其卓越节能氧化镓功率半导体的开发。
三菱电机功率器件制造有限公司高级技术顾问近藤晴房表示，碳化硅功率模块的商业应用已经有十多年了，现在是时候推出新型宽带隙材料了。
事实上，三菱电机早在几年前就已经开始了氧化镓技术的研究。
作为一种新型半导体材料，氧化镓肯定会面临诸多技术挑战，但三菱电机将继续努力研究基于氧化镓的功率芯片和功率器件技术。
。
展望未来，Chishi Akada表示，三菱电机将继续开发适合工业、可再生能源和铁路牵引应用的创新产品，这是我们业务的基础。
在此基础上，我们将在新能源汽车、家电应用领域投入更多资源，实现业务快速增长。
“在晶圆技术方面，我们将重点发展8英寸SiC芯片和12英寸Si芯片。
秉承更高附加值、更高规格和小型化产品设计理念的产品开发理念。
具有高应用灵活性，高可靠性、高效率的产品不断帮助客户解决生产和应用问题，同时依托全球顶级客户群的规模优势降低成本，提供多领域优势所积累的丰富经验。
碳化硅组件为各行各业的绿色转型做出了贡献。
”赤田赤史最后强调。
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