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06-06
美国新泽西州普林斯顿，2020 年 10 月 22 日 -- 碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商 UnitedSiC 宣布推出第三代产品V 和 V 碳化硅 JFET，扩展了现有独特的常开 SiC JFET 产品组合。
这些器件通常处于开启状态并使用零电压栅极驱动，非常适合快速动作、固态断路器和电路保护等应用，在这些应用中，在没有栅极电源的情况下通常需要默认开启状态。
这些器件还可与 Si-MOSFET 串联使用，形成强大的“超级共源共栅”，具有宽带隙技术的所有优点，提供极高的工作电压和轻松的栅极驱动。
新器件还可用作电子负载、无线充电同步整流和低功耗反激式转换器中的电源开关，其中共源共栅配置中的 JFET 可确保轻松启动。
新器件的目标市场包括铁路、电动飞机和电力牵引中的电路保护，以及高压开关电源转换。
SiC JFET 器件在电路保护应用中提供出色的 RDSA 品质因数（基于芯片面积归一化的导通电阻）和低插入损耗。
由于 RDSON 的正温度系数和相对平坦的栅极阈值电压与温度曲线，这些部件可以轻松并联使用。
当在“线性”模式下工作时，SiC JFET 具有较宽的安全工作区域 (SOA)，而不会出现其他技术容易受到的电流拥挤和电流灯丝效应，因此特别适合电子负载。
和限流器。
SiC JFET 中没有栅极氧化物，因此具有额外的优势，例如增强的耐辐射性和整体稳健性。
该器件采用 UnitedSiC 专有的 6 英寸晶圆工艺制造，其中包括先进的晶圆减薄和芯片贴装技术，从而实现出色的结到外壳热阻。
新发布的第三代器件编号为UJ3N70K3S（V/70mΩ）、UJ3N35K3S（V/35mΩ）、UJ3NK3S（V/80mΩ）和UJ3N25K3S（V/25mΩ）。
所有这些可选器件均采用方便的 TO-3L 封装。
UnitedSiC 工程副总裁 Anup Bhalla 表示：“当您需要一款正常情况下还过得去、超鲁棒的器件时，UnitedSiC 的 SiC JFET 可以提供无与伦比的系统价值。
随着电力电子技术的不断发展，对电路保护的需求也在不断发展。
”快速动作断路器可以简化轨道牵引、船舶和日益电动化的飞机的电源电路设计，而 SiC JFET 也是此类应用中最简单、最高效的限流解决方案。
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