广东省-深圳福田区推出11项“企业惠企”举措，以“硬核举措”帮扶企业
06-18
Transphorm 出货超过 250,000 个 GaN 功率器件，再次展示了大批量的可扩展性 这一里程碑标志着高压氮化镓半导体的普及加速，这一趋势在根据行业领导者宣布的市场参与情况，Transphorm Inc. 是设计和制造首批 JEDEC 和 AEC-Q 认证的 V 氮化镓 (GaN) 半导体的领导者，具有最高的可靠性，该公司透露，其已发货超过 250,000 个高压 GaN FET。
这些器件在该公司位于日本会津若松的代工厂生产，并将用于客户的大规模生产应用。
Transphorm还表示，其晶圆代工厂中广受欢迎的50兆欧产品的基本年装机容量相当于10,000个零件，并且可以轻松扩展至处理量的2至5倍。
此外，当需求有保证时，技术和制造工艺可以从目前制造的 6 英寸晶圆扩展到制造 8 英寸或可能更大尺寸的晶圆。
Transphorm 联合创始人兼首席运营官 Primit Parikh 表示：“对于高压 GaN 来说，这是改变游戏规则的一年。
Transphorm 发货的超过 250,000 V GaN FET 将用于我们客户的大批量、高性能电源。
部署在转换器和逆变器产品中。
这些产品可通过各种渠道购买，包括亚马逊。
根据迄今为止的产量，我们可以保守地估计现场作业时间将在较低的个位数内。
在广泛的操作和加速可靠性测试运行条件下，在数小时内发生故障的平均时间超过 10 亿小时，Transphorm 是第一家发布出厂设备现场故障数据的高压 GaN FET 供应商。
该数据用于计算以百万分率 (ppm) 表示的现场故障率和故障率 (FIT)，以显示该技术的可靠性。
现场数据的可用性是高压GaN在电力系统中的一个重要的新指标，因为它表明了该技术的成熟度。
事实上，市场正呈现出积极的增长轨迹。
市场研究和战略咨询公司 Yole Développement (Yole) 报告称，功率 GaN 市场将迅速扩张，到 2020 年将达到 4.08 亿美元，复合年增长率 (CAGR) 达 91%。
1 预计将推动增长的高压应用包括快速充电器、数据中心和其他高端电源。
这项研究还表明，Transphorm 的生产客户涵盖了 Yole 提到的增长领域，包括： PC 游戏电源 [CORSAIR]；服务器电源[Bel Power、Delta]；伺服驱动器[安川]；便携式电源 [Inergy/ Telcodium]。
值得一提的是，2019年，随着Nexperia计划推出V+ GaN FET以及英飞凌推出V产品组合，GaN的商业化取得了重大进展。
Transphorm 首席执行官 Mario Rivas 表示：“市场接受任何新技术的关键指标包括关键细分市场领先客户的采用以及能够支持后续大批量增长的多个强大供应商的出现。
虽然我们对 Transphorm 与客户合作所取得的成就感到非常高兴，但我们更高兴看到 Nexperia 和 Infineon 等高压功率半导体领导者加入 GaN 革命，客户现在可以通过增加与供应商的联系来实现这一目标。
获得获得节能 GaN 优势的信心。
”“高压 GaN 开关可靠性”一文详细介绍了评估早期故障的方法概述。
GaN 产品组合可在此处获取：GaN Semiconductors。
Transphorm 拥有世界上最大的功率 GaN IP 组合（超过全球多项已发布和正在申请的专利），并生产业界唯一经过 JEDEC 和 AEC-Q 认证的 GaN FET。
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