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VisIC Technologies 与台积电合作，提供业界最先进的基于氮化镓的光伏功率器件解决方案以色列特拉维夫，2020 年 2 月 8 日 /美通社/ -- VisIC Technologies 致力于开发能量转换系统并销售基于氮化镓的高效功率器件氮化镓（GaN）方面，目前推出了业界首款伏打氮化镓模块的样品，并宣布与台积电（TSMC）就其用于硅技术的氮化镓达成生产合作协议（去年宣布）。
目前已经向部分领先客户提供工程样品，相关演示将在2018上海国际功率元件及可再生能源管理展览会（PCIM China Shanghai）期间举行。
这种超快速功率器件模块是业内效率最高的，可用于支持小型高效的 xEV 充电系统和不间断电源 (UPS) 系统。
新的VisIC模块基于台积电的GaN-on-D硅工艺，并利用已广泛应用于xEV充电系统和数据中心电源的宽带隙技术来实现重大变革。
台积电的硅基氮化镓工艺进一步提供了高产量和快速提升能力，而 VisIC 的氮化镓晶体管设计则实现了前所未有的性能水平。
高电子迁移率晶体管 (HEMT) 设计提供低于 10 纳秒的开关时间，其中电子可以在二维量子中流动，类似于碳化硅 (SiC) 晶体管 (MOSFET) 中的电子流动。
本质上是不同的。
GaN 模块的耐压额定值为 40 伏，导通电阻仅为 40 毫欧。
目标应用是电机驱动、三相电源和其他需要高达 50A 电流能力的电源转换应用。
VisIC 的氮化镓器件是一种半桥模块，它将氮化镓高压晶体管 (HEMT) 与推挽电路、过流和过热保护等电路组合在一个封装中。
该设计利用 VisIC 创新的高级低损耗开关 (ALL-Switch?) 技术，该技术采用专利的高密度横向布局来实现快速开关性能和低导通电阻。
高压氮化镓模块具有低栅极电荷和结电容以及低导通电阻，使得氮化镓器件的开关损耗可低至微焦耳。
因此，该器件的开关损耗比碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管低3至5倍。
使用 VisIC 的氮化镓模块，设计人员可以在不影响性能的情况下显着减小系统尺寸，从而创建用于电动汽车或工业应用的高效电机驱动器的超小型电动汽车充电器。
。
据市场研究与战略咨询公司Yole Developpement（Yole）预测，耐压及以下氮化镓功率器件市场规模预计今年将超过33.25亿美元（《氮化镓功率外延、设备、应用和技术趋势》（GaN Power）外延、器件、应用和技术趋势）报告，Yole Development，2016 年 11 月）。
VisIC 的新产品进入了目前由硅基绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 器件服务的更广泛的电压阻断电压市场。
台积电欧洲、中东和非洲总裁 Maria Marced 表示：“我们很高兴与 VisIC 合作，VisIC 是快速增长的 GaN 功率市场中令人兴奋的新进入者。
” “台积电对我们的 GaN 制造能力、资本和工程投资进行了重大改变，使该平台非常适合满足和支持 VisIC 及其客户的需求。
我们期待与该公司合作，因为他们推出了这个新平台，除了不间断电源和xEV充电系统之外，伏打氮化镓技术还可以支持需要数百安培大电流的逆变器应用，这种大电流应用对器件的依赖需要高电压的支持。
VisIC首席技术官Gregory Bunin表示：“与硅或碳化硅相比，氮化镓具有更好的基本物理特性，例如最大击穿电场强度和电流密度。
氮化镓产品特别适合满足高电压和大电流市场。
需求方面的限制很少。
此次制造合作将支持 VisIC 产能的快速提升。
他们是优秀的世界级供应链合作伙伴，我相信他们可以将其带入我们的氮化镓功率器件市场。
受到前所未有的增长预期的支持。
“关于台积电台积电是一家专业半导体代工厂，致力于提供业界领先的制程技术，并拥有经过验证的知识库、知识产权、设计工具和参考工艺。
公司自营产能预计将超过 10,000 片晶圆2020年的产量（约相当于12英寸晶圆），包括三座先进的12英寸超大晶圆厂（GIGAFAB?）、四座八英寸晶圆厂和一座六英寸晶圆厂（均位于台湾），以及公司全资子公司WaferTech、台积电（中国）和台积电（南京）的相关产能。
台积电是第一家拥有7纳米产能的晶圆代工厂，公司总部位于台湾新竹。
欲了解更多信息，请访问：技术 关于 VisIC Technologies, Ltd. 总部位于以色列 Nesziona，由一群氮化镓 (GaN) 技术专家于 2006 年创立，致力于开发和销售基于氮化镓的先进功率转换产品。
VisIC 已成功开发并向市场推出基于氮化镓的高功率晶体管和模块，预计将取代当今功率转换系统中使用的大多数硅基产品。
VisIC 已为其氮化镓技术获得了专利保护，目前正在申请更多专利。
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