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06-18
KIOXIA 铠侠中国 为了展示先进闪存技术的持续创新,铠侠公司与西部数据今天(3月31日)发布了他们最新的3D闪存技术详情,目前正在准备生产。

该3D闪存采用先进的微缩和晶圆键合技术,不仅具有成本效益,而且提供卓越的容量、性能和可靠性,使其成为满足许多市场指数级数据增长需求的理想选择。
西部数据技术与战略高级副总裁 Alper Ilkbahar 表示:“新款 3D 闪存展示了我们与 Kioxia 的牢固合作关系以及我们在 3D NAND 领域的联合创新领导地位。
” “通过联合研发路线图和持续的研发投资,我们能够推进这一基础技术的开发,以生产高性能、高资本效率的产品。
”通过引入各种独特的工艺和架构来实现连续水平扩展,铠侠和西部数据降低了成本,这种垂直和水平扩展之间的平衡可以在更小的芯片中产生更大的容量,从而优化成本,同时减少层数。
突破性的 CBA(CMOS 直接键合到阵列)技术,其中 CMOS 晶圆和存储单元阵列晶圆在优化状态下单独制造,然后键合在一起,以“通过”提供更高的千兆字节 (GB) 密度和快速的 NAND I/O 速度。
通过我们独特的工程合作伙伴关系,我们成功推出了具有业界最高位密度的第八代 BiCS FLASH?,”Kioxia 首席技术官 Masaki Momodomi 表示,凭借 CBA 技术和微型创新,我们进一步推进了我们的产品开发。
3D 闪存技术组合涵盖一系列以数据为中心的应用,包括智能手机、物联网设备和数据中心。
闪存采用创新的横向收缩技术,为4平面(Plane)1Tb三层存储单元(TLC)和四层存储单元(QLC)带来超过50%的位密度提升。
其高速NAND I/O速度超过3.2GB/s,比上一代产品提高60%。
同时写入性能和读取延迟提升20%以上,将加速用户的整体性能和可用性。
氮化镓功率应用线上研讨会 4月13日下午14点,ACT雅氏国际商报与化合物半导体杂志社联合推出“氮化镓功率应用,厚积薄发”线上研讨会,推动氮化镓功率应用产业加速成长。
尽快报名:国际)将于今年5月在苏州举办主题为“半导体先进技术创新、发展与机遇大会”的会议。
会议包括半导体制造与封装、化合物半导体先进技术与应用两个主题。
两场论坛以“CHIP中国研讨会”和“化合物半导体先进技术与应用大会”的形式同时举行。
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