黑石创始人：清华大学学者项目已融资2.6亿美元
06-17
经过 AEC-Q 认证的氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 第二个产品系列现已在 °C 温度下运行，这是第一批通过 JEDEC Transphorm Inc. 认证的产品，现已在 °C 温度下运行。
设计和制造符合 AEC-Q 标准且可靠性最高的 V 氮化镓 (GaN) 半导体的领导者今天宣布，其第三代符合 JEDEC 标准的高压 GaN 平台已通过汽车电子委员会 (Automotive Electronics Council) 认证汽车级分立半导体 AEC-Q 标准压力测试。
这一成就标志着该公司第二个获得汽车认证的产品系列。
值得注意的是，第三代 GaN 平台在认证测试中表现出最高的可靠性，能够在 °C 的温度下运行。
Transphorm 的第三代 AEC-QGaN FET TP65HWSQA 的典型导通电阻为 35 mΩ，采用行业标准 TO 封装。
与其上一代产品 50 mΩ 第二代 TPHWSBQA 一样，该器件主要针对插电式混合动力汽车 (PHEV) 和纯电动汽车 (BEV) 的 AC-DC 车载充电器 (OBC) 和 DC-DC 转换器）。
和 DC-AC 逆变器系统。
无与伦比的可靠性阈值 Transphorm 的第三代器件于 2016 年 6 月推出，作为当时可靠性最高、质量最高的 [Q+R] GaN FET 进入市场。
它们不仅具有较低的电磁干扰，而且还具有更高的抗噪性[阈值电压为4 V]和栅极稳定性[±20 V]。
这些先进技术可使用最少的外部电路降低开关噪声并提高较高电流下的产品性能。
质量和可靠性 (Q+R) 的改进使 Transphorm 能够选择扩展和加速的标准测试，例如 JEDEC 和 AEC-Q。
在这项最新的汽车认证中，半导体制造商的重点是与标准 AEC-Q 认证的高压硅 MOSFET 相比，将该器件的耐热极限提高 25°C。
除了证明该 GaN 平台的可靠性之外，更高的温度测试还证明了 Transphorm 的 AEC-QGaN FET 能够在任何电气系统的开发过程中为设计工程师提供充足的热裕度。
Transphorm 全球技术营销副总裁 Philip Zuk 表示：“展示器件质量和可靠性应该是影响客户对高压 GaN FET 信心的最关键因素，尤其是在汽车和电动汽车市场。
为了实现这一目标，我们确保公司的 GaN 在远远超出任务概况要求的现实条件下保持其性能和可靠性。
根据已公布的可靠性数据，经过JEDEC认证的第三代平台的现场故障率为3 FIT，与碳化硅的故障率相同。
这种高水平的可靠性使 Transphorm 能够成功推出可在高达 °C 的温度下工作的第三代汽车 FET。
“正如当年 1 月发布的业界首个现场可靠性数据和首个早期寿命故障率计算（上述 FIT 率的来源）所证明的那样，该公司的第二个 AEC-Q 认证设备进一步证明了 Transphorm 的质量和关于 Transphorm Transphorm 致力于突破硅的极限，为高压功率转换应用设计、制造和销售性能最高、最可靠的 GaN 半导体（拥有多项已颁发和正在申请的专利）。
全球范围内），生产业界唯一经过 JEDEC 和 AEC-Q 认证的 GaN FET，这源于在每个阶段进行创新的垂直集成业务方法：材料和组件设计、制造、电路集成、封装、参考电路设计和应用支持。
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