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台媒：三星电子NAND闪存新产能投产或将进一步压低NAND价格

发布于：2024-06-08 编辑：匿名来源：网络

据业内人士透露，三星电子今年下半年将逐步增加NAND闪存新产能，引发市场观察人士对潜在供应过剩的担忧。

据digitimes报道，GB和GB TLC NAND闪存合约价在前两季度上涨后，从去年第四季度开始缓慢下滑。

其中GB合约价一周内从4.48美元跌至4.40美元。

消息人士称，存储设备的需求受到笔记本电脑和手机零部件短缺的影响。

“随着整体存储器需求减弱，三星电子在中国和韩国工厂的NAND闪存产能扩张预计将进一步压低NAND价格，其中TLCNAND产品现货市场价格将受到最大影响。

”消息人士补充道。

据了解，三星电子西安工厂去年开始量产96层V-NAND（月产能12万片）。

该工厂目前正在将部分新的Layer NAND产能商业化。

产能全面开启后，月产能将达到13万件。

此外，消息人士称，三星电子也将于今年下半年在韩国平泽市的 PS2 工厂量产其最新层 NAND 闪存。

不过，内存模块制造商指出，NAND闪存目前处于买方市场，因此预计三星电子不会充分利用其新产能来量产所有NAND产品。

台媒：三星电子NAND闪存新产能投产或将进一步压低NAND价格

相反，它可能会更注重通过技术升级来增加产量，坚守价格底线，追求更高的盈利能力。

与此同时，全球第二大NAND供应商Kioxia已重启IPO项目，预计11月上市。

不过，消息人士指出，市场需求下降以及NAND闪存合约价格下跌是影响其IPO价格的负面因素。

此外，消息人士称：“美光自今年11月起开始量产Layer 3 NAND闪存，这将给三星电子带来竞争压力，并可能促使三星电子通过更高的成本来提高其Layer NAND产品的出货率。

”有效生产。

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