深交所：合并完成后，深交所主板发行上市门槛保持不变
06-17
Kioxia（原东芝）和西部数据报告称，未具体说明的污染问题已经影响了他们的几家联合NAND生产工厂，西部数据表示这些问题影响了多达6.5艾字节闪存。
Kioxia 和西部数据作为一家拥有 20 年历史的合资企业的一部分，运营着多个 NAND 生产工厂。
其中，日本四日市和恰上工厂受到污染，导致生产中断。
Kioxia 的声明称，该问题影响了其 3DBiCS 闪存的生产，该闪存用于各种 SSD 和其他产品，并希望“早日恢复正常运营”，这意味着生产已停止。
该公司没有透露其产能受到了多少影响。
西部数据的声明提供了更多细节，称该问题将使其产量“至少”减少 6.5 艾字节。
两家公司均未给出全面恢复生产的确切时间表。
然而，考虑到3D NAND闪存的周期时间较长（完成一颗3D闪存芯片可能需要两到三个月的时间），任何中断仍将在生产重启后的几个月内产生影响。
我们要求提供更多信息，但西部数据拒绝提供任何进一步的细节。
因此，尚不清楚产品中是否运输了受污染的 NAND，这最终会导致召回。
从整体来看，今年第二季度消费者和企业级 SSD 累计出货量为 66.83EB，分布在大约 1 亿个 SSD 上。
四日市工厂拥有六家工厂，占地面积 3,000 平方米，雇用 6,000 名员工。
北上工厂由多个工厂组成，新的K2制造工厂正在建设中，将新增2000平方米的生产空间。
中国企业在NAND闪存市场紧随美国、日本和韩国。
市场研究机构Omdia 26日发布的数据显示，今年第三季度，三星电子以34.5%的份额位居全球NAND闪存市场第一。
前六名均被美国、日本、韩国占据。
企业占据主导地位，紧随其后的是今年增长势头强劲的长江存储。
韩联社报道称，三星电子自2016年夺得世界NAND闪存市场冠军以来，已连续20年位居榜首。
目前，全球NAND闪存市场呈现“多重竞争”局面。
日本铠侠占据全球市场第二位（19.5%），其次是SK海力士（13.6%）、西部数据（13%）和微软（9.9%）。
和英特尔（5.9%）。
随着中国市场监管部门近期批准SK海力士收购大连NAND闪存制造工厂，其市场份额有望超越日本铠侠，成为全球第二大。
韩国半导体业内人士表示，在全球NAND闪存市场，三星电子短期内很难撼动其领先地位。
值得注意的是，有“中国半导体航母”之称的清华紫光旗下长江存储表现强劲。
其NAND闪存业务今年第三季度销售额达到4.65亿美元，市场份额为2.5%，一年内增长了三倍多。
中国目前约占全球NAND闪存市场份额的37%，超过美国（31%）位居全球第一。
但中国在这一领域的供给能力不足，仅占全球的4%。
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