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06-18
近日，日本昭和电工宣布与半导体厂商罗姆签订长期供应合同。
根据协议，昭和电工将向生产碳化硅（SiC）功率半导体的罗姆供货。
碳化硅外延片。
新闻稿称，这份长期合同将进一步加强昭和电工与罗姆在提高SiC外延片质量方面的技术合作。
数据显示，昭和电工的SiC外延片已于2018年投放市场。
昭和电工预计，通过签订长期合同，其SiC外延片业务将在SiC功率器件市场进一步增长。
每年SiC功率市场规模达到33.9亿美元。
SiC衬底是新开发的宽带隙半导体的核心材料。
主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天以及新能源汽车和“新基建”为代表的射频领域。
以电力电子领域为代表，具体应用领域包括电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等，以其高电压、大电流、高温、高频、低损耗，SiC半导体产业市场近年来发展迅速，迎来爆发期，据TrendForce调查显示，2020年全球SiC功率市场规模将达33.9亿美元，年复合增长率达38%。
其中，前三大应用将占新能源汽车的61%，光伏及储能占13%，充电桩占9%。
目前SiC材料主要集中在美国Cree、II-VI、日本Rohm、欧洲意法半导体等厂商手中。
据公开资料显示，国际主要SiC晶圆厂商均已实现6英寸晶圆的规模供应。
其中，Cree和II-VI在SiC晶圆制造行业具有世代尺寸优势，并已成功研发并投资建设8英寸晶圆生产线。
此外，今年7月27日，意法半导体还宣布已制造出首批8英寸SiC晶圆。
国际主要厂商之间的SiC争夺战仍在继续。
近年来，随着全球对基于SiC晶圆的器件需求持续增长，国际主要厂商通过加强合作和产能扩张计划，开始了SiC争夺战。
客户合作方面，除了与ROHM签订长期供货合同外，昭和电工今年5月还与英飞凌科技签订了供货合同，供应包括外延晶体在内的各种SiC材料。
根据双方公布的信息，英飞凌与昭和电工的合同期限为两年，并可选择延长合同期限。
此外，Cree今年8月宣布将扩大与意法半导体（ST）现有的多年期、长期SiC晶圆供应协议。
根据新的供应协议，Cree 将在未来几年向意法半导体提供毫米级 SiC 芯片和外延片。
扩产方面，昭和电工8月23日宣布将筹集约1亿日元资金，其中约1亿日元将用于扩大SiC晶圆、抛光浆料（CMPSlurry）等半导体材料产能。
罗姆计划在未来五年内投资1亿日元，将其用于电动汽车的SiC功率半导体产能扩大到目前水平的五倍。
此外，Cree早在今年就宣布了扩产计划，计划投资10亿美元扩产30倍，以满足未来的市场需求。
最新消息是，Cree首席执行官Gregg Lowe已确认，作为10亿美元扩大SiC产能计划的一部分，Cree位于纽约马西的SiC晶圆厂预计将于年初投产。
“全球最大”的碳化硅晶圆厂将专注于汽车级产品。
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