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06-18
投资社区（ID：pedaily）5月26日消息，近日，珠海镓未来科技有限公司（以下简称“镓未来”） “镓未来”宣布完成近亿元A+轮融资，由顺为资本、高瓴创投、盈富科技共同投资，深启投资独家投资。
截至目前，这家专业从事高端第三代半导体氮化镓功率器件研发和生产的综合解决方案提供商，成立一年半以来已累计融资超过2亿元人民币。
本轮融资将主要用于新型氮化镓功率芯片产品及应用解决方案的研发，同时也将用于供应链建设。
镓未来成立于今年10月，致力于高端氮化镓功率器件的研发、设计和生产，为客户提供更高效率、更小尺寸、更低成本的硅基氮化镓器件产品和整体解决方案。
其产品除了应用于手机/笔记本电脑PD快充外，还实现了中高功率应用场景。
目前，镓未来的多款V氮化镓产品已量产并销售，其中包括3款低功率氮化镓产品和2款高功率氮化镓产品。
公司现有员工近70人，吸引了Intel、TI、士兰微、TPH等行业领先半导体公司的人才，完成了芯片研发、封装测试、量产导入、可靠性体系的建立验证、质量控制和应用 计划各个方面的完整团队。
GaN是第三代半导体材料的核心材料之一。
具有功率密度更高、体积更小、功耗更低的特点。
由于氮化镓材料的高临界击穿电场和高电子迁移率，氮化镓功率器件具有在相同断态阻断电压水平下更高的工作频率和更低的导通电阻以及更低的电转换损耗等特性。
不仅提高了效率，节省了电能，而且使电源体积更小，实现了更高的功率密度。
自2018年氮化镓在手机PD快充领域快速普及以来，低功率（以65W为代表）应用场景的需求不断释放，第三代半导体氮化镓功率器件赛道进入了爆发期。
快速增长。
目前，每年智能手机出货量超过10亿台，笔记本电脑等消费电子产品出货量超过2亿台，吸引PI、Navitas、Innosec等主要厂商加入低功耗氮化镓功率器件市场争夺战。
中间。
未来镓将选择采用级联结构设计方案，将常关型低压MOSFET与常开型GaN器件的源极串联，实现增强型器件。
通过器件集成的优化设计和先进封装，克服了传统级联结构的缺点，实现了高速稳定的特性。
利用 GaN 天然的常开特性可以避免常关 GaN 器件制造过程中引入的缺陷。
加上先进的设计和成熟的生产技术，未来的镓产品将具有优异的动态特性和高可靠性。
由于其栅极为传统的Si-MOSFET，因此栅极具有很强的抗噪声和抗冲击能力，并且不仅兼容Si基功率开关电路的栅极驱动。
并且可以采用插件形式封装，适合大功率应用场景，应用功率范围可覆盖30W-W。
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