近日,英国兰卡斯特大学物理与工程系的科学家发表论文,详细介绍了UltraRAM量产方面的突破。
由于其具有吸引力的品质,研究人员多年来一直在考虑这种新型存储器,而最新的突破意味着硅晶圆的大规模生产可能指日可待。
UltraRAM 被描述为一种内存技术,“将闪存等数据存储内存的非易失性与 DRAM 等工作内存的速度、能效和耐用性结合在一起”。
重要的是,硅上 UltraRAM 可能是一种通用内存类型,有一天将满足 PC 和设备的所有内存需求(RAM 和存储)。
然而,我们已经看到一些类似的预示想法被搁置。
电阻式RAM、磁阻式RAM和相变存储器并没有产生一些初步报告所预见的影响。
此外,我们还看到英特尔的 Optane 内存技术填补了 DRAM 和存储之间的空白,但还没有完全弥合这一差距。
英特尔去年这个时候推出了面向台式电脑的Optane解决方案。
UltraRAM 背后的基础科学是它利用了化合物半导体的独特特性,化合物半导体通常用于 LED、激光器和红外探测器等光子器件,现在可以在硅上批量生产。
研究人员声称,最新的硅化身优于在砷化镓半导体硅晶片上测试的技术。
UltraRAM 的一些推断数据是,它将提供“至少 1,000 年的数据存储”,并且其快速切换速度和编程擦除周期耐用性“比闪存好一百到一千倍”。
将这些品质加上 DRAM 般的速度、能源效率和耐用性,这种新颖的内存类型听起来很难让科技公司忽视。

如果您仔细阅读上面的内容,您会发现 UltraRAM 旨在弥合 RAM 和存储之间的差距。
因此,从理论上讲,您可以将其用作一次性解决方案来满足这些个人当前的需求。
在 PC 系统中,这意味着您将获得一块 UltraRAM,例如 2TB,这将满足您的 RAM 和存储需求。
如果这种转变能够发挥其潜力,将成为推动流行内存处理趋势的好方法。
毕竟,您的存储就是您的内存 - 使用 UltraRAM;这是同一个晶圆。
当一个用例成功时,看到 UltraRAM 部署从服务器扩展到 PC、智能设备、控制台等也就不足为奇了。
新的内存技术是否足够快以排除专门的快速内存类型(例如当代 GDDR 和 HBM 技术)还有待观察。
UltraRAM 的定价可能是另一个棘手的问题。
如果价格不具有竞争力,其潜在的采用和转型能力将受到阻碍。
其经济效益还有待观察,但研究人员对 UltraRAM 在硅批量生产方面的突破感到高兴,使其易于使用。
兰卡斯特大学的研究人员表示,进一步的工作正在进行中,以提高质量、微调制造工艺以及实施和扩展 UltraRAM 设备。
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