纽睿医美获得1000万元天使轮融资
06-17
当前的芯片领域，摩尔定律似乎已经停滞，但各大芯片巨头都在积极研发芯片设计和封装方面的新技术。
据报道，IBM 和三星开发了一种新设计，可将晶体管垂直堆叠在芯片上。
它可以显着降低能耗高达85%。
在当前的芯片领域，摩尔定律似乎已经停滞，但各大芯片巨头却在芯片设计和封装方面积极研发新技术。
据报道，IBM 和三星开发了一种新设计，可将晶体管垂直堆叠在芯片上。
可显着降低85%的能耗。
在以前的设计中，晶体管平放在半导体表面上。
新的垂直转移场效应晶体管（VTFET）设计旨在取代目前一些最先进芯片中使用的FinFET技术，并实现芯片上晶体管的更密集分布。
这种布局将允许电流在晶体管堆栈中上下流动，而在大多数芯片上当前使用的设计中，电流水平流动。
半导体的垂直设计已经存在很长时间了，并且从现在常见的 FinFET 技术中获得了一些灵感。
据悉，虽然其最初的重点是芯片组件的堆叠而不是优化晶体管的排列，但英特尔未来将主要朝这个方向进行开发和设计。
当然，有证据表明这一点：当平坦的空间已经很难让晶体管堆叠时，唯一真正的方向（除了物理缩小晶体管技术之外）是向上。
尽管我们距离在实际消费芯片中使用 VTFET 设计还有很长的路要走，但英特尔和三星这两家公司已经明确表示了这一点。
他们指出，VTFET 芯片可以让设备“将性能提高两倍或减少 85% 的能耗”。
IBM和三星也雄心勃勃地提出了一些大胆的想法，比如“手机一次充电可以使用一周”。
这可以显着降低能源密集型行业的能源消耗，例如数据加密；同时，这项技术甚至可以赋能更强大的物联网设备甚至航天器。
IBM 此前曾在今年早些时候展示过其首款 2nm 芯片。
该芯片采用了不同的方法来塞入比以前更多的晶体管，即使用现有的 FinFET 设计来扩大芯片上可容纳的数量。
然而，VTFET 技术更进一步，尽管我们还需要很长时间才能看到使用该技术的芯片。
但 IBM 并不是唯一一家展望未来生产的公司。
英特尔今年夏天宣布即将推出RibbonFET（英特尔首款全能栅极晶体管）设计，这是其在FinFET技术上获得的专利。
该技术将成为英特尔20A代半导体产品的一部分，20A代芯片计划于2020年开始量产。
最近，IBM 还宣布了自己的堆叠晶体管技术计划，作为 RibbonFET 未来的下一代产品。
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