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06-17
（美国商业资讯）- 第一个 V 氮化镓获得最高可靠性的 JEDEC 和 AEC-Q 认证 Transphorm Inc.，领导者从事氮化镓（GaN）半导体设计和制造的公司透露，其高压氮化镓场效应晶体管（GaN FET）出货量已超过50万个。
这一里程碑的实现得益于客户持续采用其高质量、高可靠性的 GaN 平台。
高压 GaN 应用工业、基础设施、IT 和 PC 游戏市场的许多客户已公开宣布使用 Transphorm 的 GaN 技术构建的量产设备。
这表明人们对 GaN 解决方案的信心不断增强，预计该解决方案将成为一个有吸引力的市场。
事实上，现隶属 Informa Tech 的行业分析公司 IHS Markit Technology 预测，今年 GaN 功率分立器件、模块和系统 IC 的总收入将达到 12 亿美元，其中约 7.5 亿美元（占近三分之三的市场份额来自高压 GaN 解决方案 1. Transphorm 联合创始人兼首席运营官 Primit Parikh 表示：“我们推出了功能最强大的两芯片常关器件正如 Power Integrations 等该领域的其他知名制造商所证明的那样，单芯片常关硅 MOSFET 在业界已司空见惯。
GaN 解决方案是当今最实用的高压 GaN FET 设计 事实上，正是这种设计使 Transphorm 的 GaN 实现了高性能和高可靠性，迄今为止已获得超过 50 亿小时 (2 FIT) 的现场可靠性数据。
。
“Transphorm产品的成功很大程度上得益于其产品的质量和可靠性（Q+R）。
这个Q+R得到了该公司强大的常关GaN平台、对外延工艺的强大控制以及制造能力的支持——这些因素的结合使该公司能够生产出具有前所未有的可靠性、可设计性、可驱动性和可重复性的 GaN FET。
我们在 GaN 目标核心高功率市场取得成功的同时，我们还与快速增长的半导体落后市场（例如消费适配器和机顶盒）的客户合作。
”迄今为止，我们发货的大多数产品都是针对更高功率的应用。
超过 500,000 V FET 相当于超过 10,000 个低功耗（亚瓦）FET，展示了我们的批量生产能力。
「现场可靠性」 一年前，Transphorm 发布了第一套完整的高压 GaN 功率半导体验证数据。
今天，该公司正式发布了最新的现场可靠性数据。
Transphorm的GaN技术拥有超过50亿小时的实际使用时间，其FIT率目前低于2.0，其PPM每年低于19.8。
有关器件质量+可靠性的更多信息，请访问该公司的 Q+R 网页 欢迎加入 GaN 革命！ Transphorm 为高压电源转换应用设计和制造。
Transphorm的V族和V族氮化镓（GaN）半导体具有最高的性能和最高的可靠性，拥有全球最大的IP组合（多项授权和正在申请的专利），并且是业内唯一获得JEDEC和AEC-Q认证的制造商。
氮化镓场效应管。
这来自垂直整合的业务方法，该方法在开发的每个阶段都进行创新：设计、制造、设备和应用程序支持。
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