电动汽车市场对于延长续航里程、缩短充电时间有着巨大的需求,高压汽车平台化趋势愈演愈烈。
对此,各大车企纷纷推出V高压车型,如保时捷Taycan、奥迪Q6e-tron、现代Ioniq5等。
TrendForce研究显示,随着电动汽车渗透率持续提升,车辆随着架构向V高压迈进,预计今年全球电动汽车市场对6英寸SiC晶圆的需求量将达到1万片。
V电气架构的创新将使高压SiC功率器件完全取代SiIGBT,成为主驱动逆变器的标准配置。
因此SiC备受车企追捧。
一级制造商德尔福已率先实现VSiC逆变器的量产,博格华纳、采埃孚、纬特斯科也紧随其后。
目前,电动汽车已成为SiC的核心应用场景。

其中,SiC器件的OBC(车载充电机)和DC-DC转换器组件的应用已经相对成熟,但基于SiC的主驱动逆变器尚未进入大规模量产阶段。
对此,STM、英飞凌、Wolfspeed、Rohm等功率器件厂商与Tier1及车企展开深度合作,推动SiC车载工艺。
其中,上游SiC衬底材料环节将成为产能的关键制约因素。
工艺复杂,技术门槛高,晶体生长速度慢。
现阶段用于功率器件的N型SiC衬底仍以6英寸为主。
虽然Wolfspeed等国际主要IDM厂商的8英寸进度超出预期,但由于良率的提升以及功率晶圆厂从6英寸向8英寸转换需要一定的时间段,因此,6英寸SiC至少在未来五年内,基材仍将保持主流。
随着电动汽车市场的爆发,SiC逐渐应用于大型车辆,其成本也将直接决定车V高压架构升级的进度。
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