据业内人士透露,今年第四季度主要NAND芯片供应商将增产3D NAND芯片产量,这或将带来供给侧变数明年上半年。
。
据《电子时报》援引消息人士透露,美光科技率先将其Layer 3 DNA NAND闪存制造工艺转向量产,SK海力士紧随其后,于第四季度开始量产。

三星电子还将在平泽第3工厂(P3)安装新的3D NAND芯片生产线,以增加3D NAND芯片的产量。
届时,月产能将达到40,000-50,000件。
该人士认为,明年手机和消费类SSD将越来越多地采用层3D NAND闪存。
到今年年底,超过 25% 的 NAND 闪存位供应将是第 3 层 NAND 闪存芯片,高于今年第四季度的近 5%。
此外,消息人士指出,电源管理IC和闪存设备控制器芯片的短缺情况自第四季度以来一直在改善,这鼓励了NAND??闪存芯片制造商扩大生产。
预计到上半年,NAND闪存将供大于求。
不过,由于主要NAND闪存芯片厂商对于产能扩张仍持谨慎态度,明年行业整体供应增速将略高于30%,略高于需求增速。
三星和SK海力士今年的位供应增长将超过整体位供应增长,预计为37%-39%。
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