【融资24小时】2023年6月8日投融资事件汇总及详情
06-18
10月20日，SK海力士宣布已成功开发出业界首款具有最佳规格的HBM3 DRAM。
HBM3是第四代HBM（HighBandwidthMemory）技术*，由多个垂直连接的DRAM芯片组成。
它是一款创新性地提高数据处理速度的高价值产品。
*HBM版本名称：HBM（第一代） – HBM2（第二代） – HBM2E（第三代） SK海力士去年7月在业界首次开始量产HBM2E* DRAM，仅1年零3个月后HBM3就已在业界首次量产。
3月份的发展，巩固了其在该市场的主导地位。
*HBM2E：扩展版本，改进了第二代 HBM2 的一些性能。
SK海力士强调，“通过这款HBM3，我们不仅实现了迄今为止HBMDRAM中的最高速度和最大容量，而且还大大提高了质量水平。
”。
SK海力士开发的HBM3每秒可以处理千兆字节的数据。
这个速度相当于一秒钟内传输一部全高清电影（每部 5GB）。
与上一代HBM2E相比，速度提升约78%。
同时，该产品还内置ECC纠错（OnDie-ErrorCorrectionCode）。
HBM3可以通过内置的ECC检查自行修复DRAM单元中的数据错误，因此产品的可靠性也大大提高。
此次HBM3将提供两种容量：16GB和24GB。
尤其是24GB是业界最大的容量。
为了实现24GB，SK海力士技术团队将单个DRAM芯片的高度研磨至30微米（μm，10-6m）左右，相当于A4纸厚度的1/3，然后采用TSV技术垂直连接12个芯片。
*TSV（Through Silicon Via）：一种在 DRAM 芯片上钻出数千个微小孔并通过垂直穿透电极连接上下芯片的技术。
HBM3将配备高性能数据中心，预计适用于提高人工智能（AI）的完成度。
用于分析气候变化、新药开发等的机器学习和超级计算机。
负责 SK 海力士 DRAM 开发的副总裁 Cha Sun-ryong 表示：“该公司推出了全球首款 HBMDRAM，引领了 HBM2E 市场，并成功开发了HBM3为业内首次。
公司将巩固其在高端内存市场的领导地位。
，同时提供符合ESG运营的产品，尽最大努力增加客户价值。
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