10月20日,SK海力士宣布已成功开发出业界首款具有最佳规格的HBM3 DRAM。
HBM3是第四代HBM(HighBandwidthMemory)技术*,由多个垂直连接的DRAM芯片组成。
它是一款创新性地提高数据处理速度的高价值产品。
*HBM版本名称:HBM(第一代) – HBM2(第二代) – HBM2E(第三代) SK海力士去年7月在业界首次开始量产HBM2E* DRAM,仅1年零3个月后HBM3就已在业界首次量产。
3月份的发展,巩固了其在该市场的主导地位。
*HBM2E:扩展版本,改进了第二代 HBM2 的一些性能。
SK海力士强调,“通过这款HBM3,我们不仅实现了迄今为止HBMDRAM中的最高速度和最大容量,而且还大大提高了质量水平。
”。
SK海力士开发的HBM3每秒可以处理千兆字节的数据。

这个速度相当于一秒钟内传输一部全高清电影(每部 5GB)。
与上一代HBM2E相比,速度提升约78%。
同时,该产品还内置ECC纠错(OnDie-ErrorCorrectionCode)。
HBM3可以通过内置的ECC检查自行修复DRAM单元中的数据错误,因此产品的可靠性也大大提高。
此次HBM3将提供两种容量:16GB和24GB。
尤其是24GB是业界最大的容量。
为了实现24GB,SK海力士技术团队将单个DRAM芯片的高度研磨至30微米(μm,10-6m)左右,相当于A4纸厚度的1/3,然后采用TSV技术垂直连接12个芯片。
*TSV(Through Silicon Via):一种在 DRAM 芯片上钻出数千个微小孔并通过垂直穿透电极连接上下芯片的技术。
HBM3将配备高性能数据中心,预计适用于提高人工智能(AI)的完成度。
用于分析气候变化、新药开发等的机器学习和超级计算机。
负责 SK 海力士 DRAM 开发的副总裁 Cha Sun-ryong 表示:“该公司推出了全球首款 HBMDRAM,引领了 HBM2E 市场,并成功开发了HBM3为业内首次。
公司将巩固其在高端内存市场的领导地位。
,同时提供符合ESG运营的产品,尽最大努力增加客户价值。
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