近日,Intel再次曝光了其Intel4EUV工艺的最新进展。
根据官方一段48秒的视频展示了基于该工艺生产的晶圆的测试过程,最终的测试结果显示,整个晶圆上的芯片几乎通过了所有测试,内部的SRAM、逻辑单元、模拟单元均满足要求。
规格。
,芯片性能更好。
这也意味着Intel4工艺进展顺利,良率已达到较高水平。
今年10月底,英特尔发布了第12代酷睿。
该芯片不仅采用了全新的“大小核”架构,制程工艺也升级至Intel7(之前的10nm SuperFin工艺相当于台积电的7nm工艺)。
按照英特尔的计划,预计明年下半年将量产全新的Intel4工艺。
根据Intel此前公布的信息,与Intel7相比,Intel4的每瓦性能提升了约20%。
这也将是第一个完全采用 EUV 光刻技术的英特尔 FinFET 节点。
此前,台积电的7nm EUV工艺仅在少数环节采用了EUV技术。
目前英特尔还没有公布这款晶圆的具体情况,但根据之前的信息来看,测试的晶圆应该是第14代酷睿Meteor Lake。

该计算单元已于今年第二季度完成流片。
现在测试结果更加合理。
。
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