三星3nm GAA工艺已成功流片,引发对其潜在首批客户的猜测。
不过有消息称,三星可能会率先采用3nm工艺生产自己的芯片,然后应用到客户产品中。
据BusinessKorea报道,三星电子最近发布了其晶圆代工业务的蓝图。
预计今年下半年量产第一代4nm芯片,每年量产第二代4nm芯片,每年量产第二代3nm工艺。
它没有提到它。
第一代3nm芯片计划量产。

根据其此前的说法,计划从今年开始引入3nm工艺技术。
有分析指出,三星尚未透露第一代3nm芯片的量产计划。
可能是它计划在自己设计的芯片上使用这种工艺技术,然后应用到其代工客户的芯片上。
采用3nm工艺技术生产的芯片比采用5nm工艺生产的芯片小35%,但性能和电池效率分别提高15%和30%。
台积电也在开发 3nm 工艺技术,并计划于明年推出。
三星将在 3nm 工艺中使用环绕栅晶体管 (GAA),而不是鳍式场效应晶体管 (FinFET)。
与FinFET不同,GAA可以将晶体管栅极的接触面和沟道增加到四个,这可以通过增加多个接触面来帮助提高性能。
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