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首次发布 -智真存储完成数千万元Pre-A轮融资

发布于：2024-06-17 编辑：匿名来源：网络

据投资界（ID：pedaily）7月26日消息，近日，智真存储（北京）科技有限公司宣布完成获得数千万元Pre-A轮融资，投资方包括巨成资本、中国互联网投资基金、京鹏投资等。

融资资金将主要用于加强研发团队建设和设备采购，提升产品研发能力，加速研发进程。

磁随机存取存储器（MRAM）芯片研发及生产线建设。

智真存储（北京）科技有限公司是一家以磁存储技术为基础，掌握芯片设计、研发、制造等关键核心技术的创新型科技企业。

基于产学研全链条合作模式，依托国内半导体制造产业链，发挥产业协同优势，形成了MRAM芯片产品的全国性生产制造工艺。

公司核心产品将应用于高可靠电子器件、工业芯片、汽车电子、消费领域、人工智能等多个行业。

智臻存储成立于2018年7月，拥有北京总部，并已完成青岛研发中心建设。

未来计划在上海、无锡、南京、杭州等地开设分公司和研究院，力争成为服务全国乃至全球的存储芯片。

解决方案提供商。

目前，公司团队规模超过80人，拥有核心专利80余项，参与国家重点研发计划等多项国家重点科技项目。

存储芯片是半导体行业最重要的产品之一。

全球集成电路产业年规模为2.02亿美元，其中存储芯片规模为6700万美元，约占集成电路产业整体规模的22.6%。

然而，随着先进集成电路工艺的逐渐微缩，高性能应用场景对存储芯片的性能要求进一步提高，传统存储芯片在性能提升方面遇到了技术瓶颈。

以MRAM为代表的新型存储器成为提高存储芯片性能的突破口。

MRAM不仅具有静态随机存储器（SRAM）的高速读写能力，还具有闪存（FLASH）的高集成度和非易失性特点。

磁存储技术已经经历了三代技术迭代。

市场上流通最广泛的产品是第二代自旋转移矩磁存储芯片（Spin-TransferTorque MRAM，STT-MRAM）。

该类产品可应用于智能消费电子设备、物联网终端、汽车芯片等领域。

它是国际半导体制造的领导者。

各公司均已批量生产相关产品。

为了进一步提高MRAM芯片的性能，增强其与先进半导体制造工艺的兼容性（例如与5nm以下工艺节点的兼容性），业界提出了第三代技术：自旋轨道扭矩MRAM（Spin-Orbit Torque MRAM，SOT-MRAM），该产品在读写速度、寿命、可靠性等性能指标上具有显着优势。

它可以作为Cache级存储器，可以嵌入到工业芯片和消费电子领域的广泛应用场景中。

第三代磁存储技术目前正处于全球各个团队的研发阶段，市场上还没有成品。

因此，无论是专利还是市场，都是我国在新型存储领域实现弯道超车的最佳赛道。

据Yole等知名半导体分析机构预测，全球新型存储器市场将保持高水平增长。

预计未来五年将以63%的复合增长率增长，年市场规模将达到1亿美元（包括独立式和嵌入式）。

在技??术层面，团队提出并实现了自旋轨道矩-自旋传递力矩协同翻转磁矩的MRAM数据写入方法，构建了高密度MRAM产品的设计，并获得了中国和欧盟授权的门槛专利。

美国。

自主研发的高隧道磁阻效应垂直隧道结核心指标高于IBM、IMEC等国际机构。

其自主研发的新一代MRAM芯片可采用NAND-SPIN结构，容量大幅提升，具有速度快、寿命长、功耗低等性能优势。

这种结构与CMOS工艺兼容良好，降低了制造成本。

难度和制造成本。

目前，公司已获得中科星、普华资本、中电海康威视等多方战略投资，并通过引入产业投资者，实现了磁存储产业生态链的资源整合。

至臻存储与青岛市西海岸新区签约。

在当地政府的大力支持下，计划建设8英寸、12英寸新一代存储芯片专用后端加工生产线。

该项目预计将于今年上半年竣工。

届时，智臻存储将具备磁存储芯片的自主制造能力，一期建设年产能可达2万片。

在谈到未来发展规划时，至臻存储CEO王格飞表示：至臻存储研发的新一代磁存储芯片具有高速读写、低功耗、耐擦写、高存储容量等独特优势。

首次发布 -智真存储完成数千万元Pre-A轮融资

可靠性和宽温度范围。

该芯片是下一代非易失性存储芯片的理想选择，未来在各行业中将具有巨大的潜力。

我们将利用现有的8英寸研发平台和12英寸产业资源，加快研发，同时推进MRAM量产线建设，加快国产磁存储芯片的市场化进程，力争成为国内磁存储芯片的领先企业。

国内磁存储行业。

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