秉尚投资与江西九江联合设立3亿元吸引基金
06-18
漏极电压Vd从0到4V扫描。
每次Vd扫描后，栅极电压Vg步进到下一个值。
传统仅直流 Vds-id 和通过 RBT、偏置 T 型结进行直流 IV 测试的主要区别在于 SMU 的数量。
通过偏置 T 形接头进行 DC IV 测试，使用 2 个 SMU[2]，源极和主体接地（SMA 同轴屏蔽）。
Vds–id-pulse 测试如图 7 所示。
由于脉冲测试是 UTMS（用户测试模块），因此通过图 7 所示的表格界面更改参数。
对于脉冲 Vds-id[3]，栅极电压不是阶梯式的，因此必须先输入每个栅极电压，然后才能将下一条 Vds-id 曲线附加到绘图中。
图 7. 脉冲 Vds-id UTM 定义选项页面 请注意，直流和脉冲测试的参数都可以轻松修改，从而可以交互式观察晶体管行为特征。
下面的“运行脉冲 IV 测试”部分介绍了运行 Vds-id 测试的过程。
更多信息请下载word文档下载文档 来源：互联网 作者：karen 本站声明：本文经作者或相关机构授权，目的是传递更多信息和信息并不代表本站赞同其观点，本站也不保证或承诺内容的真实性。
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前两天测试也需要这个功能。
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现场。
达到饱和。
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