2020年10月,耶鲁大学Saphlux科技有限公司成功研发出子像素尺寸为2的全彩MicroLED阵列微米并实现了AR显示领域的重要突破。
10微米以下的小尺寸MicroLED存在传质困难的问题。
因此,目前大多数AR屏幕制造商都采用LED晶圆键合(waferbonding)CMOS来制备单色屏幕。
如何在这种尺寸下实现全彩转换成为业界的一大挑战。
然而,目前传统量子点印刷或量子点光刻的色彩转换方式,由于印刷线宽宽、转换效率低、尺寸大等问题,难以满足像素尺寸小于5微米的全彩AR显示器的需求。
粘合层厚,保护性差。
要求。
据介绍,赛富电子团队利用其独特的NPQD?技术,创造性地利用纳米孔(Nanopores)氮化镓结构作为天然量子点载体,并通过选择性注入QD技术获得了晶圆级量子点。
原位封装实现小尺寸全彩转换技术的突破。
NPQD?全彩转换技术此外,由铝铟镓磷(AlInGaP)外延晶体制成的传统红色MicroLED受到缺陷密度高、光提取困难等问题的限制。
随着芯片尺寸的缩小,它们的光效率将急剧下降。
衰退。
赛富电子介绍,其NPQD?技术采用氮化镓结合红光量子点进行颜色转换,规避了这一材料限制。
同时,优化后的纳米孔氮化镓具有极强的散射效应,可将有效光路增加8倍,将光提取面积增加40倍,在量子点内实现99.99%的光转换效率厚度5微米。
据悉,除了全彩ARMicroLED阵列这一里程碑式的成果外,赛富电子还量产了小间距屏用的NPQD?R1和T1系列MicroLED芯片,产品已通过多家行业领先公司的测试。
点亮屏幕,进入发货阶段。

对此,赛富电子表示:“作为目前业内唯一在售的量子点MicroLED芯片产品,它证明了NPQD?MicroLED芯片的优越性,也标志着该技术已成功从实验室研究发展到……商业化。
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